型号：LB8108M
　　制造商：ON Semiconductor (ONSEMI)
　　封装类型：WDFN-8L 或 DFN-8
　　输入电压范围：2.7V 至 5.5V
　　输出电压范围：0.8V 至 3.6V（可调）
　　最大输出电流：1.2A
　　开关频率：1.8MHz
　　静态电流：典型值30μA（关断模式下小于1μA）
　　占空比：接近100%
　　反馈参考电压：0.6V ± 2%
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　控制方式：电流模式PWM控制
　　集成MOSFET：内置上管和下管同步整流
　　保护功能：过流保护、过温保护、欠压锁定(UVLO)
　　特殊功能：软启动、短路保护、自动脉冲跳跃模式以提高轻载效率

LB8108M采用先进的电流模式控制架构，使其在面对输入电压波动或负载突变时能够实现快速的动态响应。该控制方式通过实时监测电感电流来调节占空比，从而有效提升系统的稳定性和瞬态性能。芯片内部集成了低导通电阻的P沟道和N沟道MOSFET作为功率开关，减少了外部元件数量，提高了整体效率并简化了PCB布局设计。在轻载条件下，LB8108M自动进入脉冲跳跃模式（PSM），显著降低开关损耗和静态功耗，使得在待机或低功耗运行状态下仍能保持高能效。当输出负载增加时，芯片无缝切换回PWM模式，确保输出电压的精确调节。
　　该器件具有极低的静态电流，典型值仅为30μA，在电池供电应用中极大地延长了设备的待机时间。其高达1.8MHz的固定开关频率允许使用小型陶瓷电感和电容，进一步缩小电源解决方案的整体尺寸，满足现代便携式电子产品对微型化的需求。此外，高开关频率还有效避开了AM广播频段，避免干扰音频电路。芯片支持接近100%的占空比，即使在输入电压接近输出电压时也能维持稳定的输出，增强了低压差工作能力。
　　LB8108M内置完善的保护机制，包括逐周期过流保护、输出短路保护和过温关断功能。当芯片结温超过安全阈值时，热关断电路将自动切断输出，防止器件损坏；而当故障排除后，芯片可自动恢复工作或通过使能信号重启。此外，欠压锁定（UVLO）功能确保在输入电压未达到正常工作范围前芯片不会启动，避免了因电压不足导致的异常操作。软启动功能则限制了启动过程中的浪涌电流，防止输入电源受到冲击，同时保证输出电压平稳上升。所有这些特性共同构成了一个可靠、高效且易于使用的电源解决方案，特别适用于高性能嵌入式系统和移动设备。

LB8108M广泛应用于各类便携式电子设备中，尤其是在对电源效率、体积和热性能有严格要求的场合。典型应用包括智能手机、平板电脑、智能手表和其他可穿戴设备，其中电池寿命和空间利用率是关键设计考量因素。在物联网（IoT）节点和无线传感器网络中，该芯片因其低静态电流和高轻载效率而成为理想的电源管理选择，能够在长时间待机状态下最大限度地节省能耗。此外，它也适用于各种基于微控制器（MCU）、数字信号处理器（DSP）或现场可编程门阵列（FPGA）的核心供电系统，为其提供稳定可靠的电压源。
　　在消费类电子产品如蓝牙耳机、便携式医疗设备、电子书阅读器和小型摄像头模块中，LB8108M能够将单节锂电池电压（标称3.7V）高效降至1.8V、3.3V等常用逻辑电平，满足不同功能模块的供电需求。由于其高开关频率特性，配合小型电感和陶瓷电容即可构建紧凑的电源电路，非常适合高密度PCB布局。在工业手持设备、条码扫描仪和便携式测试仪器中，该芯片同样表现出色，能够在较宽的输入电压范围内维持稳定的输出性能，适应电池从满电到放电结束的全过程。
　　此外，LB8108M还可用于为高速ADC、DAC、RF收发器等模拟前端电路提供干净的电源轨，其良好的负载调整率和线路调整率有助于减少噪声对敏感电路的影响。得益于其集成度高、外围元件少的特点，工程师可以快速完成电源设计，缩短产品开发周期。同时，该芯片符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，适用于现代化绿色制造流程。无论是追求极致能效还是小型化的应用场景，LB8108M都提供了高性能的DC-DC转换解决方案。

NCP1597,NCP1402,LB8107