时间：2025/9/2 1:18:58
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HY57V28820HCTH 是现代（Hyundai）电子推出的一款高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。这款DRAM芯片采用了先进的CMOS技术，具有高速、低功耗和高可靠性等特点，广泛用于各种电子设备中，如个人电脑、工业控制设备、通信设备等。
类型：DRAM
容量：256MB
组织结构：x8/x16
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：5.4ns
封装类型：TSOP
引脚数量：54-pin
工作温度：-40°C ~ +85°C
HY57V28820HCTH 是一款高性能的DRAM芯片，具有低功耗和高速度的特点。其工作电压范围为2.3V至3.6V，这使得它能够在多种电源环境下稳定工作。该芯片的访问时间为5.4ns，能够满足高速数据存取的需求。此外，该芯片采用了先进的CMOS技术，提高了可靠性和抗干扰能力。
这款DRAM芯片的封装类型为TSOP（薄型小外形封装），具有较小的封装体积，适用于对空间要求较高的电子设备。其54引脚的封装设计确保了稳定的电气连接，并方便了PCB布局。
HY57V28820HCTH 还具备宽工作温度范围的特点，可在-40°C至+85°C的温度范围内正常工作，适用于各种恶劣环境下的应用，如工业控制、通信设备和嵌入式系统。
HY57V28820HCTH 主要应用于需要高速存储的电子设备中。例如，在个人电脑中，它可以用作主存，为系统提供快速的数据访问能力。在工业控制设备中，这款DRAM芯片可以用于存储和处理实时数据，提高系统的响应速度和处理能力。在通信设备中，它能够支持高速数据传输和处理，满足现代通信系统对存储容量和速度的需求。
此外，HY57V28820HCTH 还适用于嵌入式系统，如智能家电、汽车电子和消费类电子产品。由于其低功耗和高可靠性的特点，这款DRAM芯片可以在这些设备中提供稳定和高效的存储解决方案。
MT48LC16M2A2B4-6A
