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HY57V28820HCTH 发布时间 时间:2025/9/2 1:18:58 查看 阅读:5

HY57V28820HCTH 是现代(Hyundai)电子推出的一款高速CMOS动态随机存取存储器(DRAM)芯片。这款DRAM芯片采用了先进的CMOS技术,具有高速、低功耗和高可靠性等特点,广泛用于各种电子设备中,如个人电脑、工业控制设备、通信设备等。

参数

类型:DRAM
  容量:256MB
  组织结构:x8/x16
  电压:2.3V - 3.6V
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54-pin
  工作温度:-40°C ~ +85°C

特性

HY57V28820HCTH 是一款高性能的DRAM芯片,具有低功耗和高速度的特点。其工作电压范围为2.3V至3.6V,这使得它能够在多种电源环境下稳定工作。该芯片的访问时间为5.4ns,能够满足高速数据存取的需求。此外,该芯片采用了先进的CMOS技术,提高了可靠性和抗干扰能力。
  这款DRAM芯片的封装类型为TSOP(薄型小外形封装),具有较小的封装体积,适用于对空间要求较高的电子设备。其54引脚的封装设计确保了稳定的电气连接,并方便了PCB布局。
  HY57V28820HCTH 还具备宽工作温度范围的特点,可在-40°C至+85°C的温度范围内正常工作,适用于各种恶劣环境下的应用,如工业控制、通信设备和嵌入式系统。

应用

HY57V28820HCTH 主要应用于需要高速存储的电子设备中。例如,在个人电脑中,它可以用作主存,为系统提供快速的数据访问能力。在工业控制设备中,这款DRAM芯片可以用于存储和处理实时数据,提高系统的响应速度和处理能力。在通信设备中,它能够支持高速数据传输和处理,满足现代通信系统对存储容量和速度的需求。
  此外,HY57V28820HCTH 还适用于嵌入式系统,如智能家电、汽车电子和消费类电子产品。由于其低功耗和高可靠性的特点,这款DRAM芯片可以在这些设备中提供稳定和高效的存储解决方案。

替代型号

MT48LC16M2A2B4-6A

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