IPW65R080CFDA是Infineon(英飞凌)推出的一款功率MOSFET,采用TOLL封装形式。该器件专为高频开关应用设计,具备较低的导通电阻和优良的热性能,适用于服务器、电信整流器以及工业电源等领域的高效能电力转换场景。
这款MOSFET具有优化的栅极电荷特性,从而提高了动态性能并降低了开关损耗。其高效率和强大的散热能力使其成为现代高效能电源设计的理想选择。
类型:N-Channel MOSFET
电压V(DSS):650 V
电流ID:39 A
RDS(on)(最大值,在25°C时):78 mΩ
栅极电荷Qg:48 nC
输出电容Coss:105 pF
连续漏极电流:39 A
功耗Ptot:184 W
工作温度范围:-55℃ to 175℃
封装形式:TOLL
IPW65R080CFDA拥有出色的电气性能与可靠性,以下是一些关键特性:
1. 高击穿电压(650V),能够承受较高电压环境,适合多种高压应用场景。
2. 极低的导通电阻RDS(on),在25°C时仅为78mΩ,可显著降低传导损耗。
3. 超低栅极电荷Qg,有助于减少开关损耗,提升整体系统效率。
4. TOLL封装支持直接焊接至PCB板,同时提供更好的热管理能力。
5. 通过AEC-Q101认证,确保在严苛环境下具备高可靠性和稳定性。
6. 工作结温范围宽广(-55°C至175°C),适应各种极端温度条件下的使用需求。
7. 可用于硬开关和软开关拓扑结构,包括PFC(功率因数校正)、DC/DC转换器等。
IPW65R080CFDA主要应用于以下领域:
1. 数据中心和电信设备中的高效能电源模块。
2. 工业用AC/DC和DC/DC转换器,如不间断电源(UPS)系统。
3. 太阳能逆变器以及其他需要高效率功率转换的场合。
4. 电动汽车充电站及车载充电器。
5. 各种类型的功率因数校正电路(PFC)。
6. 电机驱动与控制相关的电力电子设备。
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