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HY57V281620HCT-P 发布时间 时间:2025/9/2 8:57:26 查看 阅读:10

HY57V281620HCT-P 是由现代电子(Hynix)生产的一款高速同步动态随机存取存储器(SDRAM)。这款芯片的存储容量为256Mb(16M x 16),采用CMOS工艺制造,支持标准的同步动态存储器接口,适用于需要高性能存储器的嵌入式系统和工业设备。其封装形式为54-TSOP(Thin Small Outline Package),适合低功耗和高速应用。HY57V281620HCT-P 支持自动刷新和自刷新模式,能够在各种工作条件下保持数据的完整性。

参数

容量:256Mb
  组织结构:16M x 16
  封装类型:54-TSOP
  电压范围:3.3V
  接口类型:同步
  刷新模式:自动刷新/自刷新
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据速率:166MHz
  数据宽度:16位

特性

HY57V281620HCT-P 是一款高性能的SDRAM芯片,具备高速数据访问能力和低功耗特性。其同步接口设计能够与主控器高效协同工作,减少访问延迟。该芯片支持多种刷新模式,包括自动刷新和自刷新,能够在系统待机或低功耗模式下保持数据不丢失。此外,其TSOP封装形式有助于降低电磁干扰(EMI),提升系统稳定性。
  该芯片的工作电压为3.3V,符合大多数嵌入式系统的电源要求,能够有效降低功耗。其166MHz的数据速率能够满足高速数据存取的需求,适用于图像处理、通信设备、工业控制等高性能应用场景。HY57V281620HCT-P 还具备良好的温度适应性,可在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作,适用于工业和车载环境。

应用

HY57V281620HCT-P 主要应用于需要高速存储器支持的嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备以及消费类电子产品。例如,在视频监控系统中,该芯片可用于缓存视频数据,提高图像处理效率;在工业控制系统中,可作为主控芯片的外部存储器,扩展其数据处理能力;在通信设备中,可用于高速缓存和数据缓冲,提高数据传输效率。此外,该芯片也适用于需要高可靠性和宽温工作环境的车载电子系统。

替代型号

IS42S16400J-6T、MT48LC16M16A2B4-6A

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