ECN3290FN 时间：2025/9/7 9:21:20 阅读：23

ECN3290FN是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换领域。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压和高电流承载能力，适用于高效能电源设计，如DC-DC转换器、负载开关、马达控制和电池管理系统等。ECN3290FN采用先进的Trench MOSFET技术，优化了开关性能和导通损耗，使其在高频率工作条件下仍能保持良好的效率。该器件采用DFN5x6封装，具有良好的热管理和空间节省特性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：100A（在Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
　　功耗（Pd）：130W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
　　封装形式：DFN5x6

特性

ECN3290FN具备优异的电气性能和热管理能力，其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该MOSFET采用先进的Trench技术，优化了沟道电阻和电容特性，使其在高频应用中表现出色。此外，ECN3290FN的DFN5x6封装具备良好的散热性能，能够在高电流负载下保持稳定运行。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压条件下的可靠性。其栅极设计支持快速开关，降低了开关损耗，适用于高效率的电源拓扑结构，如同步整流、LLC谐振转换器和相移全桥电路。此外，ECN3290FN符合RoHS环保标准，适用于工业、汽车和消费类电子应用。

应用

ECN3290FN广泛应用于各类功率电子系统中，包括DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信电源模块和UPS不间断电源系统。由于其高电流能力和低导通电阻，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的电源设计。此外，ECN3290FN也适用于汽车电子系统中的功率管理模块，如车载充电器（OBC）和DC-DC变换器，满足AEC-Q101汽车级可靠性标准。