AP97T07GP是一款由Diodes Incorporated(原AP Microsemi)推出的N沟道增强型功率MOSFET。该器件主要用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。AP97T07GP采用先进的沟槽式MOSFET技术,具备低导通电阻(Rds(on))和高电流承载能力,适用于高效率、高功率密度的电子系统设计。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):8.3A(在25°C)
导通电阻(Rds(on)):最大值21mΩ(在Vgs=10V时)
功耗(Pd):2.5W
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:TO-252(DPAK)
AP97T07GP具有多个关键特性,使其在电源管理应用中表现出色。首先,其低导通电阻(Rds(on))显著降低了导通状态下的功率损耗,提高了整体系统效率。这在高电流应用中尤为重要,因为它有助于减少热量生成并提高可靠性。
其次,AP97T07GP支持高达8.3A的连续漏极电流,适合需要高电流驱动能力的应用场景,例如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。该器件还具备良好的热稳定性,能够在高温环境下保持稳定运行。
此外,该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V,兼容常见的驱动电路设计,适用于多种控制方案。其TO-252封装形式不仅具有良好的散热性能,还便于在PCB上安装和焊接,适用于高密度电路设计。
最后,AP97T07GP通过了工业级可靠性测试,适用于各种严苛环境下的应用,包括工业控制、消费类电子产品和通信设备等。
AP97T07GP广泛应用于各类电子设备和系统中,特别是在需要高效率和高可靠性的电源管理电路中。典型应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路以及各类工业自动化设备中的功率控制模块。
在DC-DC转换器中,AP97T07GP用于实现高效的能量转换,尤其适用于高电流输出的设计。其低Rds(on)特性可有效降低导通损耗,提高转换效率。
在负载开关应用中,AP97T07GP可用于控制高电流负载的通断,例如电源分配系统中的多个负载切换控制,从而实现节能和系统保护功能。
此外,该器件也可用于电机控制和LED照明驱动电路,提供稳定可靠的开关性能。
Si2302DS, IRF7404, FDS6675, NTD14N03R2, AO3400