类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：3.6V（在测试电流下）
　　最大齐纳电流：200mA
　　功率耗散：300mW
　　封装形式：SOD-523
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 150°C
　　最大反向漏电流：100nA（典型值）
　　测试电流：5mA
　　电压容差：±2%（标准）

LBZT52MB3V6T1G 齐纳二极管具有多项优良的电气和物理特性，适合多种精密电压参考应用。该器件采用先进的硅半导体技术制造，确保在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压。其±2%的电压容差确保在大多数电路中提供精确的参考电压，适用于模拟和数字电路中的电压调节需求。此外，该齐纳二极管具有较低的动态电阻，有助于在负载变化时维持输出电压的稳定性，提高电路的可靠性。SOD-523封装形式不仅节省空间，还提供了良好的热性能和机械强度，适合自动化装配和回流焊工艺。由于其低漏电流特性（典型值为100nA），LBZT52MB3V6T1G 也非常适合用于低功耗设计，如电池供电设备和便携式电子产品中的电压参考电路。该器件符合RoHS环保标准，支持无铅工艺，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。

LBZT52MB3V6T1G 主要用于需要稳定参考电压的电子电路中。例如，在电源管理系统中，它可以作为电压基准，用于调节输出电压或提供参考点。在电池充电器和稳压模块中，该齐纳二极管可用于提供过压保护或设置基准电压。此外，它还可用于运算放大器电路中的偏置电压源、A/D转换器的参考电压以及电压检测电路中的比较器输入。由于其良好的温度稳定性和低功耗特性，LBZT52MB3V6T1G 也广泛应用于便携式设备、智能传感器、工业仪表和嵌入式系统中。

MMSZ5236B-TP、BZT52-B3V6、LBZT52B3V6T1G、SZ1SMB5919BT3G