类型：DRAM
　　容量：256Mb（16M x16）
　　电压范围：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装引脚数：54-pin
　　数据宽度：16位
　　工作模式：异步模式
　　刷新方式：自动刷新/自刷新
　　时序控制：地址访问延迟可调

HY57V281620HCST-KI具有多项显著特性，使其适用于广泛的工业和消费类应用。首先，该芯片采用高速CMOS工艺制造，访问时间最快可达5.4ns，从而确保了快速的数据读写能力，适用于对响应时间要求较高的系统。其次，其电源电压为3.3V，具备良好的功耗控制能力，并兼容多种主控系统。此外，该DRAM芯片支持自动刷新和自刷新模式，有效延长数据保持时间，降低系统功耗，适合电池供电或低功耗设计的应用场景。
　　在封装方面，HY57V281620HCST-KI采用54引脚TSOP封装，体积小且便于PCB布局，同时具备良好的散热性能和机械稳定性，适用于工业级温度范围（-40°C至+85°C），确保在各种环境条件下稳定运行。此外，其异步控制接口设计简化了与主控芯片或控制器的连接，提高了系统的兼容性和灵活性，适用于FPGA、DSP、图像处理模块等多种应用领域。

HY57V281620HCST-KI广泛应用于需要高性能存储支持的嵌入式系统中。典型应用场景包括图像处理设备、工业自动化控制器、通信基站模块、路由器、网络交换机、消费类电子产品（如智能电视、游戏机）等。此外，该芯片也常用于需要缓存或帧缓冲的视频控制器、数字信号处理器（DSP）系统、以及需要临时数据存储的智能卡终端设备等。由于其工业级温度范围和高可靠性，HY57V281620HCST-KI也适用于恶劣环境下的控制系统和车载电子设备。

IS42S16256A5B1-5TL / CY7C1041CV33-55BZC / MT48LC16M2A2B4-5A