类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：4.5A
　　导通电阻（RDS(on)）：165mΩ @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSON

HBR3045AHFR 具有低导通电阻的特性，使其在导通状态下能够减少功率损耗，提高整体效率。在 VGS 为 10V 时，RDS(on) 的最大值为 165mΩ，这使得该器件适用于需要高效率的电源管理系统。
　　此外，该 MOSFET 支持较高的栅源电压（±20V），提供了更大的设计灵活性，并能在高电压条件下保持稳定运行。其 TSON 封装形式不仅减小了 PCB 占用空间，还提高了热管理能力，确保器件在高负载条件下仍能正常工作。
　　该器件的热阻（Rth(j-a)）较低，使其能够有效地将热量从芯片传导到环境，从而延长使用寿命并提高可靠性。同时，HBR3045AHFR 在高温环境下依然能保持良好的性能，工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适应多种工业和汽车应用需求。
　　另外，该 MOSFET 的快速开关特性使其适用于高频操作，减少开关损耗，提高系统的响应速度和效率。这些特性共同构成了 HBR3045AHFR 在高性能电源管理中的优势。

HBR3045AHFR 适用于多种电源管理和功率控制应用，包括但不限于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制以及工业自动化设备。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于高效能的升压或降压电路，提供稳定的电压输出。在电池管理系统中，HBR3045AHFR 可用于控制充放电路径，提高能源利用率。此外，在电机控制中，该 MOSFET 可用于 PWM 控制，实现精确的速度和扭矩调节。由于其良好的热性能和可靠性，HBR3045AHFR 也广泛应用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）等。

Si4465BDY-T1-GE3, BSC050N06LS5AG, AO4468