时间：2025/8/13 5:56:48
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LN7304HSDT1WG 是一颗由 LRC（乐山无线电）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件适用于高效率电源管理应用，具备低导通电阻和高电流承载能力，广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电源管理系统中。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：12A（在 Vgs=10V）
导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）
LN7304HSDT1WG 具备非常低的导通电阻，有助于减少导通损耗并提高系统效率。该器件的栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 的 Vgs，使其适用于多种驱动电路。此外，该 MOSFET具有良好的热稳定性，在高电流应用中表现出色，热阻较低，可有效散热。TO-252 封装形式便于贴装和焊接，适用于表面贴装技术（SMT）生产流程。
该器件还具备出色的雪崩击穿耐受能力，增强了在高压瞬态环境下的可靠性。LN7304HSDT1WG 在高频开关应用中表现出良好的动态性能，开关损耗低，适合用于高频率 DC-DC 转换器设计。
LN7304HSDT1WG 常用于同步整流、DC-DC 降压/升压转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动电路以及各类功率控制电路。其低导通电阻和高电流能力使其在高效电源转换系统中具有显著优势。
Si4442DY-T1-E3、AO4442、IRLHS3442、FDD8882、NTMFS4C10N、FDMS3610
