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HY57V281620FTP-5DR-C 发布时间 时间:2025/9/1 20:37:52 查看 阅读:6

HY57V281620FTP-5DR-C是一款由Hynix(现为SK Hynix)制造的DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于异步DRAM类型。这款存储器芯片通常用于需要高速存储解决方案的嵌入式系统、工业设备、通信设备和消费类电子产品。该型号的封装形式为TSOP(薄型小外形封装),具有良好的散热性能和紧凑的设计,适用于空间受限的应用场景。HY57V281620FTP-5DR-C具有16M x 16位的存储容量,工作电压为3.3V,支持异步操作,适用于多种存储扩展和高速数据缓存应用。

参数

存储容量:256MB (16M x 16位)
  封装类型:TSOP
  工作电压:3.3V
  最大访问时间:5.4ns
  最大工作频率:166MHz
  数据宽度:16位
  引脚数量:54
  温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
  工艺技术:DRAM
  接口类型:异步

特性

HY57V281620FTP-5DR-C是一款高性能异步DRAM芯片,具备快速存取能力和稳定的运行表现。其16M x 16位的配置提供总计256MB的存储容量,适用于需要大容量存储缓冲的系统应用。该芯片的最大访问时间为5.4ns,意味着它能够在高速数据访问中保持低延迟,满足实时数据处理的需求。其支持的最高工作频率为166MHz,使其适用于对速度有一定要求的控制系统和图像处理模块。
  该芯片采用3.3V电源供电,具有良好的功耗控制和稳定性,适用于嵌入式平台和低功耗设计。其TSOP封装结构不仅节省空间,而且具有较好的热管理和电气性能,确保在高密度PCB布局中的可靠连接和长期运行稳定性。
  此外,HY57V281620FTP-5DR-C符合工业级温度规范(-40°C至+85°C),可以在较为恶劣的环境条件下正常工作,广泛适用于工业控制、通信基站、车载系统等对环境适应性要求较高的应用场景。该芯片的异步接口设计使其能够灵活地与多种主控器或嵌入式处理器配合使用,而无需复杂的时钟同步逻辑,降低了系统设计的复杂度。同时,其标准的54引脚TSOP封装与市面上多款存储控制器和FPGA兼容,便于在多种系统中进行替换和扩展。

应用

HY57V281620FTP-5DR-C主要用于需要大容量高速存储缓冲的系统,例如嵌入式处理器系统、工业控制设备、网络通信设备(如路由器和交换机)、视频采集与处理设备、智能卡终端、测试仪器和车载信息娱乐系统等。该芯片也常用于需要临时存储大量数据的场合,如图像缓存、数据采集系统和实时操作系统中的内存扩展模块。

替代型号

HY57V281620FTP-5B-C, HY57V281620FTP-6B-C, MT48LC16M2A2B4-5A

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