ZLNB101N8TC 时间：2025/4/28 19:55:18 阅读：3

ZLNB101N8TC是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于功率转换和开关应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能，适用于各种工业和消费类电子设备。
　　这款MOSFET为N沟道增强型器件，封装形式通常为TO-220或TO-252等表面贴装类型，便于在紧凑设计中使用。

参数

最大漏源电压：80V
　　连续漏极电流：101A
　　导通电阻：3mΩ
　　栅极电荷：65nC
　　开关时间：ton=9ns，toff=15ns
　　工作结温范围：-55℃至175℃

特性

ZLNB101N8TC具备以下显著特性：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗并提高效率。
　　2. 快速的开关速度，适合高频操作环境。
　　3. 高电流承载能力，能够满足大功率应用场景的需求。
　　4. 良好的热稳定性，在高温条件下仍能保持可靠性能。
　　5. 小型化封装设计，节省电路板空间，支持表面贴装技术(SMT)加工流程。
　　6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。

应用

ZLNB101N8TC广泛应用于各类需要高效功率转换和开关控制的场合，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源(SMPS)，如AC-DC适配器和充电器。
　　2. 电机驱动电路，用于家用电器、工业自动化设备中的电机控制。
　　3. LED驱动器，提供稳定电流以确保LED亮度一致性。
　　4. 汽车电子系统，例如电动车窗、座椅调节及引擎管理单元等。
　　5. 通信电源模块，服务于基站和其他通信基础设施。