IRFL110 时间：2025/7/24 18:49:09 阅读：26

IRFL110是一款由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和开关电路中。它具有高效率、低导通电阻和快速开关特性，适用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和各种电源管理电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：0.65A
　　最大漏源电压（VDS）：100V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.36Ω @ VGS = 10V
　　功率耗散（PD）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：TO-92

特性

IRFL110具备一系列优良的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）为0.36Ω，在10V栅极驱动电压下能够有效降低导通损耗，提高系统效率。其次，该器件的最大漏极电流为0.65A，最大漏源电压为100V，适合中等功率应用。此外，IRFL110的栅源电压范围为±20V，具有良好的栅极驱动兼容性，可与常见的PWM控制器和逻辑电路配合使用。
　　在热管理方面，IRFL110的功率耗散为1.4W，能够在有限的散热条件下保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+175°C，适用于严苛的工业和汽车电子环境。封装形式为TO-92，体积小巧，便于安装于PCB板上，同时具备良好的机械稳定性和热传导性能。
　　该MOSFET具有快速开关能力，减少开关损耗并提高整体系统效率。此外，其增强型特性意味着在零栅极电压下器件处于关断状态，提高了系统的安全性和可控性。由于其高可靠性和广泛适用性，IRFL110常用于电池供电设备、DC-DC转换器、LED驱动器和电机控制电路中。

应用

IRFL110广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路、LED照明驱动器、电池充电器、工业自动化设备以及汽车电子系统。在电源管理方面，IRFL110可用于低功率开关电源和同步整流器；在电机控制中，它可作为H桥电路中的开关元件；在电池供电设备中，该MOSFET可用于高效能DC-DC升压或降压电路；在汽车电子系统中，它可以用于车身控制模块、灯光调节系统和车载充电系统。