IRFL110是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)制造的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于电源管理和开关电路中。它具有高效率、低导通电阻和快速开关特性,适用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关和各种电源管理电路。
类型:N沟道MOSFET
最大漏极电流(ID):0.65A
最大漏源电压(VDS):100V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):0.36Ω @ VGS = 10V
功率耗散(PD):1.4W
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:TO-92
IRFL110具备一系列优良的电气和物理特性,使其在功率电子应用中表现出色。首先,其低导通电阻(RDS(on))为0.36Ω,在10V栅极驱动电压下能够有效降低导通损耗,提高系统效率。其次,该器件的最大漏极电流为0.65A,最大漏源电压为100V,适合中等功率应用。此外,IRFL110的栅源电压范围为±20V,具有良好的栅极驱动兼容性,可与常见的PWM控制器和逻辑电路配合使用。
在热管理方面,IRFL110的功率耗散为1.4W,能够在有限的散热条件下保持稳定运行。其工作温度范围为-55°C至+175°C,适用于严苛的工业和汽车电子环境。封装形式为TO-92,体积小巧,便于安装于PCB板上,同时具备良好的机械稳定性和热传导性能。
该MOSFET具有快速开关能力,减少开关损耗并提高整体系统效率。此外,其增强型特性意味着在零栅极电压下器件处于关断状态,提高了系统的安全性和可控性。由于其高可靠性和广泛适用性,IRFL110常用于电池供电设备、DC-DC转换器、LED驱动器和电机控制电路中。
IRFL110广泛应用于多个领域,包括但不限于:电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电机控制电路、LED照明驱动器、电池充电器、工业自动化设备以及汽车电子系统。在电源管理方面,IRFL110可用于低功率开关电源和同步整流器;在电机控制中,它可作为H桥电路中的开关元件;在电池供电设备中,该MOSFET可用于高效能DC-DC升压或降压电路;在汽车电子系统中,它可以用于车身控制模块、灯光调节系统和车载充电系统。
2N7002, BS170, IRLML2402, FDV301N