时间：2025/9/2 0:21:52
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HY57V281620ETP是一款由Hynix（现为SK Hynix）制造的高速CMOS动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别，通常用于需要高性能内存的电子设备中，如嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及某些类型的计算机硬件。HY57V281620ETP具有16MB的存储容量，采用同步接口，支持高速数据传输。
容量：16MB
组织结构：1M x 16
电压：3.3V
封装类型：TSOP
引脚数：54
频率：166MHz
数据速率：166MHz
访问时间：5.4ns
工作温度范围：-40°C至+85°C
HY57V281620ETP具有多种高性能特性，适用于需要快速数据存取的应用场景。该芯片采用同步设计，使得内存操作与时钟信号同步，提高了数据传输的效率和稳定性。其166MHz的工作频率使其能够满足高速数据处理的需求。该芯片的1M x 16组织结构意味着它由1百万个地址组成，每个地址存储16位数据，从而实现高效的内存管理。
此外，HY57V281620ETP使用3.3V电源供电，具有较低的功耗和较好的稳定性。其TSOP封装形式不仅减小了芯片的体积，还提高了封装的可靠性，适合用于高密度电路板设计。该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，适合在各种工业环境中使用，具有良好的环境适应性和稳定性。
HY57V281620ETP广泛应用于需要高性能内存的各类电子设备中。常见的应用包括嵌入式系统、工业控制设备、通信设备、网络设备、视频处理设备以及某些类型的计算机硬件。由于其高速数据传输能力和稳定的性能，该芯片特别适合用于需要快速数据处理和存储的场景，例如图像处理、实时数据采集和高速缓存存储等。
IS42S16100E-6T、MT48LC16M16A2B4-6A、K4S641632E-TC
