时间：2025/9/2 7:38:44
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HY57V161610FTP-6DR是一款由Hynix（现为SK Hynix）生产的高速动态随机存取存储器（DRAM）芯片，属于SDRAM（同步动态随机存取存储器）类别。该芯片具有16M x 16位的存储容量，总计256MB，适用于需要高速数据访问的电子设备。其主要特点是工作电压为3.3V，支持自动刷新和自刷新模式，能够在高速运行时保持稳定的数据存储和读取性能。该芯片广泛应用于嵌入式系统、网络设备、工业控制设备等需要高性能内存支持的场景。
容量：256MB
组织结构：16M x 16位
电压：3.3V
接口类型：同步DRAM
封装类型：TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
时钟频率：最高可达166MHz
数据速率：166MHz
刷新模式：自动刷新、自刷新
访问时间：5.4ns
封装引脚数：54
HY57V161610FTP-6DR是一款高性能的同步动态随机存取存储器（SDRAM），具备高速数据访问能力，适用于多种嵌入式和工业应用。该芯片采用16M x 16位的组织结构，总容量为256MB，满足大多数中高端应用对内存容量的需求。其工作电压为3.3V，相较于早期的5V SDRAM芯片，具有更低的功耗和更高的能效。
该芯片支持同步接口，能够与系统时钟同步进行数据读写操作，提升整体系统的运行效率。同时，它具备自动刷新和自刷新两种刷新模式，确保数据在断电或低功耗状态下依然保持稳定存储，其中自刷新模式特别适用于低功耗应用场景，如便携式设备和嵌入式系统。
在性能方面，HY57V161610FTP-6DR支持高达166MHz的时钟频率，对应的数据访问时间为5.4ns，能够满足高速数据处理需求。此外，其TSOP封装形式（54引脚）不仅有助于减少封装体积，还能提升信号完整性和热稳定性，适用于高密度PCB布局设计。
该芯片的工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），可在各种恶劣环境下稳定运行，广泛适用于工业控制、通信设备、消费电子等对可靠性和性能要求较高的领域。
HY57V161610FTP-6DR主要用于需要高性能内存支持的电子设备和系统中。由于其高速访问能力、大容量和稳定的运行性能，该芯片常被应用于嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备（如路由器、交换机）、数字电视、机顶盒、视频监控设备以及其他需要较大内存容量和快速数据处理能力的电子产品中。
在嵌入式系统中，HY57V161610FTP-6DR可以作为主存储器使用，用于缓存程序代码和临时数据，提高系统的响应速度和运行效率。在网络设备中，该芯片可支持高速数据包缓存，提升数据传输和处理能力。此外，其低功耗和宽温工作特性也使其适用于户外设备、工业自动化系统以及车载电子设备等对稳定性和可靠性有较高要求的应用场景。
IS42S16160B-6BLI, MT48LC16M16A2B4-6A, K4S641632K-TC75
