时间：2025/9/15 2:45:15
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BSH105,215 是一款由 Nexperia（原恩智浦半导体的小信号和逻辑产品部门）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用小型 SOT-223 封装，适用于需要高效率、高速开关的低电压应用。BSH105,215 的设计旨在提供低导通电阻（Rds(on)）和快速开关性能，使其适用于负载开关、DC-DC 转换器、电源管理和电池供电设备等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流 (Id)：100 mA
最大漏源电压 (Vds)：30 V
最大栅源电压 (Vgs)：±20 V
导通电阻 (Rds(on))：最大 5 Ω（在 Vgs=10V）
栅极电荷 (Qg)：约 2.3 nC
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：SOT-223
BSH105,215 MOSFET 具备多项关键特性，适合在多种电源管理应用中使用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高整体效率。该器件的 Rds(on) 最大为 5Ω，当栅极驱动电压为 10V 时，可以支持小电流负载的有效控制。
其次，该 MOSFET 支持高达 ±20V 的栅源电压，具备较强的抗电压波动能力，适用于需要稳定栅极控制的电路。其快速开关特性（栅极电荷 Qg 约为 2.3nC）有助于减少开关过程中的能量损耗，提高系统响应速度，适合用于高频开关应用，如 DC-DC 转换器或负载开关电路。
BSH105,215 采用 SOT-223 封装，体积小巧且具有良好的热性能，适合空间受限的 PCB 设计。此外，该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够在广泛的工业环境温度下稳定运行，适用于汽车电子、工业控制和消费类电子产品。
该器件还具备良好的耐用性和可靠性，适用于需要长期稳定运行的电源管理系统。其结构设计和制造工艺确保了在高频率和高负载条件下仍能保持稳定性能。
BSH105,215 广泛应用于多种电源管理和开关控制电路中。常见的应用包括小型 DC-DC 转换器中的同步整流开关、电池供电设备中的负载开关、LED 灯具的调光控制、传感器信号路径中的开关控制以及嵌入式系统的电源管理模块。
由于其 SOT-223 小型封装和良好的热性能，BSH105,215 也常用于便携式电子设备（如智能手表、健康监测设备和无线耳机）中的电源切换控制。此外，在工业自动化系统中，该 MOSFET 可用于继电器替代方案、小型电机驱动电路以及传感器电源控制电路。
该器件还可用于低功耗物联网设备中的唤醒控制电路，确保设备在休眠状态下能够迅速响应外部信号并恢复运行。在汽车电子领域，BSH105,215 适用于车灯控制模块、车载娱乐系统的电源管理单元以及小型电动执行器的控制电路。
BUZ74L, NDS355AN, 2N7002, PMV48XP, BSS138
