时间：2025/8/30 14:33:58
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N7E50-M516RB-50-WF 是一款由 Nanya（南亚科技）生产的 DDR SDRAM（双倍数据速率同步动态随机存取存储器）芯片。该型号属于 DDR SDRAM 的工业级内存颗粒，广泛用于嵌入式系统、工业控制设备、网络设备以及各种需要中高密度内存的场景。这款芯片采用 FBGA（细间距球栅阵列）封装，容量为 512Mbit，工作电压为 2.3V 至 3.6V，适用于需要较高稳定性和可靠性的工业环境。N7E50-M516RB-50-WF 以其良好的兼容性和稳定性在工业控制、通信设备和数据存储领域得到了广泛应用。
类型：DRAM
子类型：DDR SDRAM
容量：512Mbit
组织结构：x16
电压：2.3V - 3.6V
封装类型：FBGA
引脚数：54
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
数据速率：166MHz（对应时钟频率为 83MHz）
访问时间：5.4ns
刷新周期：64ms
数据宽度：16位
N7E50-M516RB-50-WF 是一款工业级 DDR SDRAM 存储芯片，具备出色的稳定性和耐用性，适用于复杂和苛刻的工作环境。其主要特性包括：
1. **高容量和宽数据总线**：该芯片提供 512Mbit 容量，支持 16 位数据总线宽度，能够满足中高端嵌入式系统和工业控制设备对内存容量和带宽的需求。
2. **宽电压范围**：支持 2.3V 至 3.6V 的电源电压范围，适应多种电源管理系统，增强了设计的灵活性。
3. **低功耗设计**：尽管是 DDR SDRAM，该芯片在待机和运行状态下都具备较低的功耗特性，适用于对功耗有一定要求的工业应用。
4. **工业级温度范围**：支持 -40°C 至 +85°C 的工作温度范围，适用于户外设备、工业自动化、车载系统等极端环境。
5. **高速访问能力**：该芯片具有 5.4ns 的访问时间，支持高达 166MHz 的数据速率，确保系统运行的高效性。
6. **可靠性与耐用性**：具备 64ms 的刷新周期，能够有效保持数据完整性，适用于长时间运行的嵌入式系统和工业控制系统。
N7E50-M516RB-50-WF 主要应用于以下领域：
1. **工业控制设备**：如 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）、工业计算机等，提供稳定的内存支持。
2. **通信设备**：用于路由器、交换机、基站设备等网络基础设施，满足高性能数据传输的需求。
3. **嵌入式系统**：如智能终端、医疗设备、安防监控设备等，作为系统主存使用，提升整体性能。
4. **汽车电子系统**：由于其工业级温度范围，适用于车载导航、信息娱乐系统、ADAS（高级驾驶辅助系统）等。
5. **测试与测量仪器**：用于高精度仪器设备中，确保数据采集和处理的稳定性。
6. **消费类电子产品**：在部分需要高性能内存的消费电子产品中也有应用，如高端机顶盒、智能电视等。
N7E50-M516RB-50-WF 的替代型号包括：Micron 的 MT48LC16M5A2B4-5A 和 ISSI 的 IS42S16512A-5T。这些型号在容量、封装和电气特性上较为接近，但在使用前建议详细核对数据手册以确保兼容性。
