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HY57V161610DTC-7DR 发布时间 时间:2025/9/2 1:11:49 查看 阅读:8

HY57V161610DTC-7DR 是由Hynix(现为SK hynix)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,广泛应用于计算机、嵌入式系统以及需要高速存储的设备中。这款芯片采用16位数据宽度设计,支持高速数据访问,适用于需要较高内存带宽的场景。

参数

容量:256MB
  数据宽度:16位
  封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
  工作电压:3.3V
  时钟频率:最大可达166MHz
  存取时间:7ns
  引脚数:54pin
  存储类型:DRAM
  组织结构:1M x16

特性

HY57V161610DTC-7DR 的设计使其在多个方面表现出色。首先,其16位数据宽度允许在一个时钟周期内传输更多数据,提高了系统的整体吞吐量。其次,该芯片支持异步和同步操作模式,使其在不同应用场景下都能灵活应用。此外,该芯片的工作电压为3.3V,属于中等功耗设计,能够在性能与能耗之间取得良好平衡,适用于对功耗有一定要求的工业和嵌入式设备。
  该芯片的访问时间仅为7ns,表明其响应速度较快,适合需要快速数据存取的应用。此外,TSOP封装形式不仅有助于减小PCB(印刷电路板)的空间占用,还具备较好的散热性能,适合在紧凑型设备中使用。HY57V161610DTC-7DR 通常被用于网络设备、工控设备、图形处理器、嵌入式系统以及老式计算机系统中,作为主内存或缓存使用。

应用

HY57V161610DTC-7DR 主要应用于需要高速存储器支持的电子设备中。例如,它被广泛用于嵌入式系统中的主内存扩展,如工业控制板、通信模块和网络交换设备。此外,该芯片也常用于老式PC主板、图形加速卡、视频采集卡以及部分需要高性能DRAM的消费类电子产品中。由于其高速访问特性和相对稳定的性能表现,该芯片在工业自动化和通信基础设施中也具有一定的应用价值。

替代型号

IS42S16100D-7TL、MT48LC16M2A2B4-6A、CY7C1371B-7ZS、HY57V161610FTP-7B

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