时间：2025/8/25 4:27:06
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RLD03N06CLE 是一款由瑞萨电子（Renesas Electronics）推出的N沟道功率MOSFET，采用高性能的沟槽栅技术，适用于高效率的功率转换应用。该器件具有低导通电阻、高耐压特性，适合用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：60V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：150A（在TC=25℃）
导通电阻（RDS(on)）：3.2mΩ（最大值，VGS=10V）
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
封装类型：双排引脚PowerPAK SO-8L
RLD03N06CLE MOSFET具备多项优良特性。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽栅技术，优化了导通性能和开关性能之间的平衡。此外，其高耐压能力（60V VDS）使其适用于多种中压功率转换应用。
封装方面，RLD03N06CLE采用PowerPAK SO-8L封装，具备良好的热管理和小型化设计，适用于高密度PCB布局。该封装还提供了优良的散热性能，确保器件在高电流工作条件下仍能保持稳定。
该MOSFET具有良好的雪崩能量耐受能力，增强了器件在瞬态过压条件下的可靠性。此外，其栅极驱动电压范围宽（可支持4.5V至10V），兼容多种驱动器设计，适用于同步整流、负载开关和高侧/低侧开关应用。
RLD03N06CLE还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于降低高频开关应用中的驱动损耗，提高整体系统的能效。这使其在DC-DC转换器、电源管理模块和电机控制系统中表现出色。
RLD03N06CLE适用于多种功率电子系统，包括但不限于以下应用：DC-DC降压/升压转换器、同步整流电源、负载开关控制、高侧和低侧开关电路、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备和电源模块设计。该器件的高效率和高可靠性使其成为现代高功率密度应用的理想选择。
SiR142DP-T1-GE、FDMS86180、IPB036N06N3、FDMS86101S、IRLR8818
