容量：256Mb
　　组织结构：16M x 16
　　电压：2.3V - 3.6V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：54-TFBGA
　　数据速率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　刷新周期：64ms

HY561620FTP-H 的核心特性之一是其高速数据访问能力，能够在166MHz的频率下稳定运行，访问时间低至5.4ns，这使得它非常适合需要快速数据读写的应用场景。该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够在不频繁访问的情况下保持数据完整性，从而降低功耗。
　　此外，HY561620FTP-H 工作电压范围为2.3V至3.6V，这种宽电压设计增强了其在不同系统环境下的适应性。它的工作温度范围达到工业级标准（-40°C至+85°C），使其能够在较为恶劣的工业或户外环境中可靠运行。
　　封装方面，采用的54引脚TFBGA封装不仅有助于减小PCB板的空间占用，还能提供更好的散热性能和电气连接稳定性。芯片的存储容量为256Mb，组织结构为16M x 16，这意味着它可以同时处理16位的数据总线宽度，提高数据传输效率。
　　该DRAM芯片还具备低功耗特性，支持多种省电模式，包括待机模式和深度掉电模式，适用于对能耗敏感的应用场景，如嵌入式设备和便携式电子产品。

HY561620FTP-H 主要应用于需要高性能、低功耗和高可靠性的电子系统中。在工业控制领域，该芯片可用于工业计算机、自动化控制系统和数据采集设备，确保系统在高速运行时的稳定性。
　　在通信设备方面，HY561620FTP-H 可用于路由器、交换机、基站模块等设备中的缓存或主存，满足高速数据传输和处理的需求。
　　此外，它也广泛应用于消费类电子产品，如智能电视、机顶盒、数码相机等，作为临时存储单元用于图像处理、视频缓存等任务。
　　在嵌入式系统中，该芯片适用于需要临时存储大量数据或执行复杂算法的设备，例如工业机器人、医疗设备、测试仪器等，确保设备在运行过程中具备足够的内存支持。
　　由于其宽温工作特性，HY561620FTP-H 也适合用于户外设备、车载电子系统、安防监控设备等需要在极端温度环境下稳定运行的场景。

IS42S16400J-6T, MT48LC16M2A2B4-6A, K4S641632E-UC