晶体管类型：NPN BJT
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：150V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　电流增益（hFE）：80至800（取决于测试条件）
　　集电极-基极击穿电压（VCBO）：160V
　　发射极-基极击穿电压（VEBO）：5V
　　最大工作温度：150°C
　　封装类型：SOT-23（TO-236）

LMBT5551LTIG具有多项优异的电气特性，使其在多种电路应用中表现出色。其最大集电极-发射极电压为150V，使该晶体管适用于较高电压的开关和放大电路。电流增益范围宽广，从80到800，可根据不同应用需求选择合适的工作点，从而优化放大器的线性度或开关速度。该晶体管的饱和电压较低，有助于减少功率损耗，提高电路效率。此外，LMBT5551LTIG的响应频率较高，适用于高频开关应用。该器件的SOT-23封装结构小巧，便于在PCB上布局，并具备良好的热稳定性。
　　在可靠性方面，LMBT5551LTIG具有良好的热阻性能和温度稳定性，可在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作。其封装材料符合RoHS标准，不含铅和卤素，符合现代电子产品对环保的要求。此外，该晶体管具有较强的抗静电能力，降低了在装配和使用过程中因静电放电导致损坏的风险。

LMBT5551LTIG广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. **信号放大**：由于其高增益特性，适合用于音频前置放大器、RF信号放大器等模拟电路。
　　2. **开关电路**：适用于数字电路中的晶体管开关、继电器驱动器、LED驱动电路等。
　　3. **电源管理**：可用于DC-DC转换器、稳压器中的控制电路部分。
　　4. **工业控制**：在自动化设备、传感器接口电路中用作信号处理元件。
　　5. **通信设备**：适用于无线通信模块中的信号处理和调制电路。

PN2222A, 2N3904, BC547, MMBT5551