时间：2025/8/6 11:20:16
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IXFH8N80是一款N沟道增强型功率MOSFET，由IXYS公司生产，专为高功率开关应用设计。该器件具有低导通电阻、高开关速度和优良的热稳定性，适用于电源转换、电机控制和逆变器等场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：8A
最大漏极-源极电压：800V
导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大）
栅极阈值电压：2-4V
最大栅极-源极电压：±20V
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-247
最大耗散功率：125W
IXFH8N80具有低导通电阻，能够显著减少功率损耗并提高效率。其高耐压特性使其适用于高电压工作环境，确保器件的稳定性和可靠性。此外，该MOSFET具有高开关速度，有助于减小开关损耗并提高系统的响应能力。器件的封装设计便于散热，从而在高功率条件下保持良好的热管理。TO-247封装也便于安装和集成到现有的电路设计中。
这款MOSFET的栅极驱动要求较低，能够兼容标准的驱动电路，简化了设计流程。同时，其优异的雪崩击穿耐受能力使其在极端工作条件下仍能保持性能。IXFH8N80的这些特性使其成为工业电源、DC-DC转换器、太阳能逆变器以及电机控制系统的理想选择。
IXFH8N80常用于电源管理设备，如AC-DC和DC-DC转换器。在电机控制系统中，它可作为功率开关，提供高效和稳定的性能。该器件还适用于逆变器电路，特别是在太阳能发电系统和不间断电源（UPS）中。此外，IXFH8N80也可用于高频开关应用，如LED驱动和工业自动化控制。
IXFH8N80P, IXFH8N80Q, IXTP8N80C
