MMSZ5235BS_R1_00001 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的表面贴装硅齐纳二极管(Zener Diode),属于MMSZ系列的低压齐纳二极管。该系列二极管适用于需要低电压调节和稳压保护的电路应用,具有紧凑的SOD-123封装形式,适合高密度PCB布局。MMSZ5235BS的标称齐纳电压为6.8V,广泛用于电压参考、电源管理、信号调节等电子系统中。
类型:齐纳二极管
封装形式:SOD-123
最大耗散功率:300mW
最大齐纳电流:100mA
齐纳电压(Vz):6.8V(@ Izt = 20mA)
测试电流(Izt):20mA
齐纳阻抗(Zzt):15Ω(最大)
漏电流(Ir):100nA(@ Vr = 1V)
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
MMSZ5235BS_R1_00001 齐纳二极管具有多个优良的电气和物理特性,适用于多种电子电路中的稳压和参考电压应用。
首先,该器件采用SOD-123封装,体积小巧,便于在高密度印刷电路板(PCB)中布局,并具有良好的热稳定性和机械强度。这种封装形式还支持表面贴装工艺(SMT),提高了生产效率和焊接可靠性。
其次,MMSZ5235BS的最大耗散功率为300mW,能够在有限的散热条件下提供稳定的电压调节能力。其额定齐纳电压为6.8V,在20mA的测试电流下具有较低的动态阻抗(Zzt 最大为15Ω),这确保了在负载变化时仍能维持稳定的输出电压,从而提高系统的精度和稳定性。
此外,该齐纳二极管的漏电流非常低,在1V反向电压下的漏电流不超过100nA,适用于对漏电流敏感的模拟和数字电路。工作温度范围宽达-55°C至+150°C,使其能够在极端环境条件下可靠运行,适用于工业控制、汽车电子、通信设备等应用场景。
值得一提的是,该器件具有良好的温度系数特性,其电压随温度变化的漂移较小,进一步增强了其作为电压参考源的适用性。
MMSZ5235BS_R1_00001 主要应用于以下领域:
1. 电压参考源:在电源管理电路、ADC/DAC参考电压、运算放大器偏置电路中提供稳定的6.8V参考电压。
2. 低电压稳压:适用于需要稳定6.8V输出的小型电源、电池充电器、DC-DC转换器等电路中。
3. 保护电路:用于过压保护、电压钳位电路中,防止敏感电子元件受到电压浪涌或瞬态电压的损害。
4. 工业自动化设备:如PLC模块、传感器接口电路等,提供稳定的电压基准以确保测量和控制的准确性。
5. 汽车电子系统:如车载电源、ECU模块、车载娱乐系统等,满足汽车应用对高可靠性和宽温度范围的要求。
MMSZ5235B、MMBZ5235BS、1N4736A、BZX84C6V8