容量：16Mbit
　　组织结构：1M x 16
　　工作电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装类型：54-TSOP
　　数据速率：166MHz
　　刷新周期：64ms
　　封装尺寸：20mm x 14mm
　　引脚数量：54

HY51VS65173HGL-5DR是一款专为高性能系统设计的低功耗DRAM芯片。该芯片采用先进的CMOS技术制造，能够在高速运行的同时保持较低的功耗。其5.4ns的访问时间使其适用于高速缓存和需要快速数据访问的应用场景。此外，该芯片支持自动刷新和自刷新模式，能够有效延长数据保持时间，减少系统功耗。
　　该器件的1M x 16组织结构意味着其具有1024K个地址空间，每个地址存储16位数据，总共提供16Mbit的存储容量。这种结构使其非常适合用于图像处理、网络设备和嵌入式系统等需要大量数据缓冲的应用。
　　芯片的宽电压范围（2.3V至3.6V）提供了良好的兼容性，使其能够适应多种电源管理系统。此外，其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）确保了在各种恶劣环境条件下的稳定运行。

HY51VS65173HGL-5DR广泛应用于需要高性能存储解决方案的电子设备中。常见应用包括工业控制设备、通信设备、网络路由器、视频采集卡、嵌入式系统、打印机、扫描仪以及各种高性能消费电子产品。该芯片的高速访问能力和低功耗特性使其成为需要大量数据缓存和快速响应的系统中的理想选择。

HY51V56164AFP-6A、IS42S16400F-6T、CY7C1061BV33-10ZSXI、IDT71V1216SA9PFGI