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HY51V65404TC-60 发布时间 时间:2025/9/2 2:47:10 查看 阅读:12

HY51V65404TC-60 是由Hynix(现代半导体)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片属于异步DRAM类型,常用于早期的计算机系统和嵌入式设备中。其封装形式为TSOP(薄型小外形封装),适合需要一定存储容量但对功耗和空间有一定限制的应用场景。

参数

容量:4MB
  组织方式:x4
  访问时间:60ns
  封装类型:TSOP
  工作电压:3.3V
  数据宽度:4位
  工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)

特性

HY51V65404TC-60 是一款高性能的异步DRAM芯片,具有较低的功耗和较高的可靠性。其60ns的访问时间使其适用于需要快速数据访问的应用。该芯片的TSOP封装形式有助于减小PCB板的空间占用,同时提供了良好的散热性能。此外,该芯片支持工业级温度范围,确保其在各种环境条件下都能稳定运行。该芯片的x4组织方式意味着其数据总线宽度为4位,适用于需要较高存储密度但对成本敏感的设计。

应用

HY51V65404TC-60 常用于需要中等存储容量的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及早期的个人计算机和笔记本电脑中。其低功耗特性和紧凑的封装形式使其非常适合用于空间受限但需要一定存储性能的设备。此外,该芯片也适用于需要长期稳定运行的工业和通信应用。

替代型号

IS61LV25616A-10B4I、CY7C1041CV33-10ZS、A66C1004C-6T

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