制造商：ONSEMI
　　产品类型：齐纳二极管（稳压二极管）
　　封装类型：SOD-523
　　齐纳电压（标称）：11V
　　最大齐纳电流：100mA
　　最大功率耗散：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　最大反向漏电流（VR）：< 100nA
　　测试电流：5mA

S-LM3Z11VT1G稳压二极管采用先进的硅外延平面工艺制造，具有良好的热稳定性和长期可靠性。其SOD-523封装尺寸非常小，适合用于高密度PCB布局。该器件的齐纳电压精度高，典型值为±2%或±5%，可根据具体型号选择不同的容差等级。S-LM3Z11VT1G具备优异的动态阻抗特性，能够在负载变化时保持稳定的输出电压。此外，该二极管具有快速响应时间，能够在电压突变时迅速进入击穿状态，起到保护后续电路的作用。其低温度系数设计确保在宽温度范围内仍能维持稳定的电压参考。S-LM3Z11VT1G还具有良好的长期稳定性，适用于对精度和可靠性要求较高的应用场景。

S-LM3Z11VT1G稳压二极管广泛应用于各种电子设备中的电压参考和调节电路。例如，在电源管理模块中作为基准电压源，用于DC-DC转换器、LDO稳压器等电路。该器件也常用于过压保护电路中，防止电路因电压过高而损坏。在工业控制系统中，S-LM3Z11VT1G可用于提供稳定的参考信号，确保系统运行的稳定性。此外，该二极管还可用于电池供电设备、测量仪器、传感器接口电路、消费类电子产品等场景。由于其封装小巧且性能稳定，特别适用于对空间和功耗有严格要求的应用。

LM3Z11VQ1T1G LM3Z11VW1T1G LM3Z11VW1T5G