容量：512K × 8 位
　　组织结构：524,288 字 × 8 位
　　访问时间：10 ns
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　工作电流（最大）：90 mA（典型值约 40 mA）
　　待机电流（ISB）：≤ 2 μA（CMOS 待机模式）
　　输入/输出逻辑电平：TTL 兼容
　　封装类型：44-pin TSOP II（Type II）
　　引脚间距：0.8 mm
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　抗静电能力：≥ 2 kV HBM
　　数据保持电压：≥ 2.0 V
　　数据保持电流：≤ 100 μA

CY7C1041G30-10ZSXIT 具备多项优异的电气与功能特性，使其成为高性能嵌入式系统中的理想选择。首先，其 10 ns 的极短访问时间确保了在高频率总线操作下的快速响应能力，能够满足大多数微控制器、DSP 和 FPGA 系统对实时数据读写的需求。这种高速性能尤其适用于图像处理、网络包缓冲、协议转换等对延迟敏感的应用场景。
　　其次，该器件采用全静态 CMOS 设计，意味着只要供电正常，数据即可永久保持而无需像 DRAM 那样周期性刷新，从而简化了系统设计并降低了功耗。同时，静态操作也避免了刷新过程中可能出现的数据丢失风险，提升了系统的可靠性。
　　再者，CY7C1041G30-10ZSXIT 支持低功耗待机模式，当片选信号（CE）无效时，器件自动进入低功耗状态，此时电流消耗可降至 2 μA 以下，非常适合电池供电或节能要求高的应用。这一特性使得它在便携式设备和远程监控系统中具有显著优势。
　　此外，该芯片具备三态输出缓冲器，允许数据总线在多个外设之间共享而不产生冲突，增强了系统的扩展性和灵活性。所有输入端均内置上拉或下拉电阻，提高了噪声抑制能力，增强了信号完整性。器件还支持工业级温度范围，在极端环境条件下仍能稳定运行，适用于户外通信基站、工业自动化设备等严苛应用场景。
　　最后，CY7C1041G30-10ZSXIT 符合 RoHS 指令要求，采用无铅封装技术，支持环保生产流程。其 44 引脚 TSOP 封装体积小巧，便于 PCB 布局和自动化贴装，有助于提高产品集成度和制造效率。

CY7C1041G30-10ZSXIT 广泛应用于多种需要高速、低功耗、可靠数据存储的电子系统中。在通信领域，常用于路由器、交换机和基站设备中的数据缓存单元，用于暂存网络数据包或协议处理中间结果，以提升数据吞吐量和降低处理延迟。由于其快速访问能力和稳定性，特别适合用于实时通信系统中对时间敏感的数据交换任务。
　　在工业控制系统中，该芯片可用于 PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制卡中，作为程序运行时的临时数据存储区或状态寄存器使用，保障控制指令的快速执行和系统状态的实时更新。其宽温工作能力和抗干扰设计使其能在工厂车间、电力系统等复杂电磁环境中稳定运行。
　　在消费类电子产品方面，CY7C1041G30-10ZSXIT 可用于高端打印机、扫描仪、POS 终端等设备中，用于图像缓冲、命令队列管理等功能。此外，在医疗设备如监护仪、超声成像系统中，也可作为临时图像帧缓存使用，确保图像数据不丢失且处理流畅。
　　在网络与安防设备中，如 IP 摄像头、DVR/NVR 系统，该 SRAM 常配合主处理器进行视频流预处理或中断上下文保存，提高整体系统响应速度。此外，在测试测量仪器、雷达系统和航空航天电子模块中，因其高可靠性和长寿命特性，也被用作关键数据的临时存储介质。
　　值得一提的是，虽然 SRAM 属于易失性存储器，但通过搭配备用电池或超级电容，CY7C1041G30-10ZSXIT 还可实现“伪非易失性”功能，用于保存配置参数、校准数据或运行日志，进一步拓展其应用边界。

CY7C1041GV30-10ZSXI
　　IS61LV5128-10T
　　IS62WV5128-10TLLI
　　AS6C5128-10TIN
　　EM638325TS-10