时间：2025/9/2 10:08:36
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HY514264BJC-60 是由现代（Hyundai，现为SK Hynix）生产的一款动态随机存取存储器（DRAM）芯片。该芯片属于EDO DRAM（Extended Data Out Dynamic Random Access Memory）类型，其容量为16MB，工作电压为3.3V，适用于需要较高数据存取速度的系统。HY514264BJC-60通常用于早期的个人计算机、工业控制系统以及其他嵌入式设备中。
容量：16MB
组织结构：1M x 16
电压：3.3V
访问时间：60ns
封装类型：TSOP
数据输出类型：EDO
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
引脚数：54
HY514264BJC-60 是一款高性能的EDO DRAM芯片，其主要特性包括高速访问时间（60ns）和较低的功耗设计。EDO技术允许在读取下一个数据之前保持前一个数据的输出状态，从而提高了数据传输效率。该芯片采用TSOP（薄型小外形封装）封装形式，具有较小的封装体积和良好的散热性能，适用于高密度电路板设计。
此外，该芯片的工作电压为3.3V，相较于传统的5V DRAM芯片，能够在保证性能的同时降低功耗和发热。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）也使得该芯片适用于较为严苛的工作环境，如工业控制设备和通信设备。
在时序控制方面，HY514264BJC-60 的EDO接口简化了内存控制器的设计，降低了系统复杂度。这种设计使得它在上世纪90年代的个人计算机和嵌入式系统中得到了广泛应用，尤其是在对成本和性能有平衡要求的应用场景中。
HY514264BJC-60 主要应用于早期的PC主板、工业控制系统、嵌入式设备、网络设备以及通信模块中。作为一款16MB容量的DRAM芯片，它曾被广泛用于需要中等存储容量的计算和控制设备中。由于其较低的功耗和良好的温度适应性，该芯片也适用于对稳定性要求较高的工业自动化设备和通信设备。
在嵌入式系统中，HY514264BJC-60 可作为主存或缓存使用，适用于需要中等存储容量和较高访问速度的场合。例如，在某些老款的路由器、交换机或测试仪器中，该芯片被用于存储运行时的数据和临时缓存。同时，该芯片也可用于某些老式消费类电子产品，如数字电视、机顶盒等设备中，作为系统运行的临时存储单元。
随着技术的发展，EDO DRAM已被更先进的DRAM技术（如SDRAM、DDR SDRAM）所取代，但HY514264BJC-60 仍在一些老旧设备的维护和替代市场中发挥作用。
IS42S16400J-6BLI, KM416S1630CT-6
