HY514264BJC-50 时间：2025/9/2 10:25:50 阅读：32

HY514264BJC-50 是由现代电子（Hyundai Electronics，现为SK Hynix）生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片属于EDO DRAM（扩展数据输出动态随机存取存储器）类型，适用于需要高速数据访问的计算机和嵌入式系统。HY514264BJC-50 提供了256K x 16位的存储容量，工作电压为5V，并支持高速访问，存取时间为5.0纳秒。

参数

容量：256K x 16位
　　电压：5V
　　存取时间：5.0ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：并行
　　封装尺寸：54-TSOP
　　工作模式：EDO DRAM

特性

HY514264BJC-50 是一款高性能的EDO DRAM芯片，其主要特点包括快速的5.0纳秒存取时间，使得数据能够被快速读取，从而提升系统的整体性能。该芯片采用TSOP封装，适用于空间受限的电路设计，并提供良好的散热性能。其工作电压为5V，符合当时主流DRAM的标准电压需求，确保了与其他系统的兼容性。
　　此外，该芯片支持并行接口，允许在单个时钟周期内传输多个数据位，提高数据吞吐量。其工业级工作温度范围（-40°C至+85°C）使其适用于各种恶劣环境下的应用，如工业控制、通信设备和嵌入式系统。
　　HY514264BJC-50 的EDO技术在传统DRAM的基础上进行了优化，减少了内存等待时间，提高了系统响应速度，使其在90年代中期至2000年代初期的计算机系统中得到了广泛应用。

应用

HY514264BJC-50 主要用于早期的个人计算机、服务器、图形加速卡、网络设备和嵌入式系统中作为主存储器使用。由于其高速存取特性和稳定的性能，该芯片也常用于工业控制设备、通信设备、视频游戏机和嵌入式处理器系统中，作为临时数据存储和缓存使用。
　　在实际应用中，HY514264BJC-50 适用于需要快速数据访问和高可靠性的场景，例如图像处理、实时数据缓冲、嵌入式控制和通信接口等。其TSOP封装形式使其适合用于空间受限的设计，而工业级温度范围则确保了在各种环境条件下的稳定运行。