ST2221C 时间：2025/7/23 2:05:49 阅读：6

ST2221C 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）设计的双路N沟道增强型功率MOSFET芯片，广泛用于电源管理和开关应用。该器件采用高性能沟槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于高效率DC-DC转换器、负载开关、电机驱动等场合。ST2221C采用紧凑的封装形式，便于在空间受限的PCB设计中使用。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：8A（单路）
　　导通电阻（Rds(on)）：16mΩ @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　功耗（Ptot）：4.3W

特性

ST2221C具备多项高性能特性，首先是其双路N沟道MOSFET结构，允许在单个芯片上实现两个独立的开关通道，提高系统集成度并减少外部组件数量。该器件的低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提升整体效率。
　　其次，ST2221C采用了先进的沟槽式工艺技术，使其在保持小尺寸的同时具备良好的热稳定性和散热能力。这使得它能够在较高的环境温度下稳定运行，并有效延长使用寿命。
　　此外，该MOSFET支持高达8A的连续漏极电流，适用于中高功率应用。其栅极驱动电压范围较宽，通常可接受4.5V至20V的输入，使其兼容多种控制电路设计，如微控制器或专用驱动IC。
　　ST2221C还具备良好的抗雪崩能力，可在异常工作条件下提供额外的保护。其封装形式为PowerFLAT 5x6，具有优异的热传导性能，适合表面贴装工艺，提高生产效率和可靠性。

应用

ST2221C适用于多种电源管理和功率控制场景。在DC-DC转换器中，它可作为高效的同步整流器或主开关元件，显著提高转换效率并减少发热。在电池管理系统中，ST2221C可用于充放电控制、负载切换等应用，确保电池安全运行。
　　此外，该器件也广泛应用于电机驱动电路，如直流无刷电机、步进电机控制器等，其高电流承载能力和低导通电阻有助于提升电机驱动性能并减少能量损耗。ST2221C还可用于电源管理模块中的负载开关，实现对不同电路模块的快速通断控制，提高系统的能效和稳定性。
　　在工业自动化设备、消费类电子产品以及车载电子系统中，ST2221C也常被用作功率开关或缓冲器，满足对小型化、高效能、高可靠性的设计需求。