容量：16Mbit（2MB）
　　架构：NOR Flash
　　电压：2.7V - 3.6V
　　访问时间：70ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行（x8/x16）
　　擦除块大小：32KB、8KB、64KB
　　编程时间：100μs/word
　　擦除时间：1s～2s/块
　　JEDEC标准：兼容JEDEC标准

HY29DL162TTP-70 是一款高性能的 NOR Flash 存储器，具有良好的读写性能和稳定性。其主要特性包括：高存储密度、低功耗、宽工作温度范围以及支持 x8 和 x16 两种数据总线模式。该芯片支持快速读取操作，访问时间仅为 70ns，适用于对实时性要求较高的应用场合。此外，该 Flash 芯片具备多个擦除块（Sector）结构，包括 32KB、8KB 和 64KB 多种块大小，用户可根据具体需求进行灵活的存储管理。每个块均可独立擦除，支持系统级的更新和维护。芯片还支持多种操作模式，如读取、编程、擦除、挂起等，增强了其在复杂环境下的适应能力。HY29DL162TTP-70 还集成了内部电压转换电路，支持在较低电压下正常工作，从而降低系统功耗，适用于电池供电设备或便携式电子产品。此外，该芯片符合 JEDEC 标准，确保了与主流控制器的兼容性，简化了系统设计和集成过程。

HY29DL162TTP-70 常用于需要代码存储和固件更新的嵌入式系统中，例如：工业控制系统、通信设备、汽车电子模块、消费类电子产品、医疗设备以及测试仪器等。由于其支持快速随机读取和低功耗特性，该芯片特别适合用于引导存储器（Boot Flash）或程序存储器，广泛应用于微控制器（MCU）系统、嵌入式处理器平台以及需要非易失性存储的应用场景。其宽温特性和TSOP封装也使其适用于空间受限和环境恶劣的工业现场。

AM29LV160DB-70TE, MX29LV160ABTC-70G, S29AL016D70TFI020