容量：128Mbit（16MB）
　　组织结构：16位数据总线（x16）
　　电压范围：2.7V至3.6V
　　访问时间：90ns
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口：与5V兼容的并行接口
　　擦除/编程电压：内部电荷泵生成，无需外部高压
　　

HY29DL162TT-90I NOR Flash芯片具有多个高性能和高可靠性的特点。
　　首先，该芯片的访问时间为90ns，确保了快速的数据读取能力，适用于对性能要求较高的系统。其128Mbit的存储容量能够支持中等规模的固件存储需求，例如在嵌入式系统、工业控制设备和通信模块中。
　　其次，该器件采用2.7V至3.6V的宽电压范围，增强了其在不同电源环境下的适应性，并降低了对电源设计的复杂性。芯片内部集成了电荷泵，擦除和编程操作不需要外部高压，简化了硬件设计。
　　此外，HY29DL162TT-90I具有高度的耐用性和数据保留能力，支持10万次擦写周期，并可在无电源状态下保留数据长达10年。其TSOP封装形式有助于减小PCB面积，适用于空间受限的设计。
　　该芯片还支持多种软件控制的操作模式，如自动编程、块擦除、芯片擦除以及进入低功耗待机模式等功能，提升了系统的灵活性和能效。通过使用标准的并行接口，HY29DL162TT-90I可以轻松地与各种微控制器和处理器连接，简化了系统集成过程。

HY29DL162TT-90I广泛应用于需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中，例如工业自动化设备、通信模块、网络设备、消费类电子产品以及汽车电子控制系统。其工业温度范围和高耐用性使其特别适合在恶劣环境中运行的设备，如工业控制器和远程监测设备。此外，该芯片也可用于固件存储、程序代码存储和小型数据存储场景。

AM29LV160DB-90RE, MX29LV160EBTC-90G, S29GL128P11TFIV40