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SI3588DV-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/29 17:21:54 查看 阅读:12

SI3588DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 TrenchFET 第三代技术制造。该器件具有极低的导通电阻(Rds(on)),从而实现高效率和低功耗。它适用于多种高频开关应用,例如 DC-DC 转换器、负载点转换器、同步整流以及电池供电设备等。该器件封装为 LFPAK56(D2PAK 封装兼容),支持表面贴装工艺,适合大批量自动化生产。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:19A
  导通电阻:0.75mΩ(典型值,在 Vgs=10V 时)
  栅极电荷:19nC(典型值)
  反向恢复时间:45ns(典型值)
  工作结温范围:-55°C 至 +175°C
  热阻(结到壳):15°C/W

特性

SI3588DV-T1-GE3 的主要特性包括超低导通电阻,可显著降低传导损耗,提高系统效率。此外,其快速开关性能使其非常适合高频应用。TrenchFET 第三代技术优化了器件的电气性能和热性能,确保在高功率密度条件下保持稳定性。
  该器件还具备出色的热稳定性和抗雪崩能力,能够在严苛的工作环境下可靠运行。其紧凑的 LFPAK56 封装节省了 PCB 空间,并支持高效的散热设计。
  Vishay 提供的技术文档详细说明了该器件的动态参数和静态参数,便于用户进行精确的设计和仿真。

应用

SI3588DV-T1-GE3 广泛应用于需要高效功率管理的场景,包括但不限于:
  1. 笔记本电脑及平板电脑中的 DC-DC 转换器
  2. 电信和网络设备中的负载点电源
  3. 工业自动化系统中的电机驱动
  4. 消费类电子产品的电池管理系统
  5. 同步整流电路
  由于其低导通电阻和高电流处理能力,该器件能够满足高性能和高可靠性要求的应用需求。

替代型号

SI3589DS-T1-GE3
  SI3441DS
  IRLR7846PbF

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SI3588DV-T1-GE3参数

  • 数据列表SI3588DV
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型N 和 P 沟道
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.5A,570mA
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C80 毫欧 @ 3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大830mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
  • 供应商设备封装6-TSOP
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI3588DV-T1-GE3TR