时间：2025/5/29 17:21:54
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SI3588DV-T1-GE3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TrenchFET 第三代技术制造。该器件具有极低的导通电阻（Rds(on)），从而实现高效率和低功耗。它适用于多种高频开关应用，例如 DC-DC 转换器、负载点转换器、同步整流以及电池供电设备等。该器件封装为 LFPAK56（D2PAK 封装兼容），支持表面贴装工艺，适合大批量自动化生产。
最大漏源电压：30V
连续漏极电流：19A
导通电阻：0.75mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：19nC（典型值）
反向恢复时间：45ns（典型值）
工作结温范围：-55°C 至 +175°C
热阻（结到壳）：15°C/W
SI3588DV-T1-GE3 的主要特性包括超低导通电阻，可显著降低传导损耗，提高系统效率。此外，其快速开关性能使其非常适合高频应用。TrenchFET 第三代技术优化了器件的电气性能和热性能，确保在高功率密度条件下保持稳定性。
该器件还具备出色的热稳定性和抗雪崩能力，能够在严苛的工作环境下可靠运行。其紧凑的 LFPAK56 封装节省了 PCB 空间，并支持高效的散热设计。
Vishay 提供的技术文档详细说明了该器件的动态参数和静态参数，便于用户进行精确的设计和仿真。
SI3588DV-T1-GE3 广泛应用于需要高效功率管理的场景，包括但不限于：
1. 笔记本电脑及平板电脑中的 DC-DC 转换器
2. 电信和网络设备中的负载点电源
3. 工业自动化系统中的电机驱动
4. 消费类电子产品的电池管理系统
5. 同步整流电路
由于其低导通电阻和高电流处理能力，该器件能够满足高性能和高可靠性要求的应用需求。
SI3589DS-T1-GE3
SI3441DS
IRLR7846PbF
