HI1-509-8是一种高性能的光耦合器,广泛应用于工业和消费电子领域。该器件具有高灵敏度、低输入电流以及宽共模抑制比的特点。其内部结构包括一个高效的GaAs发光二极管(LED)和一个集成光电探测器及放大电路的接收部分。
HI1-509-8的设计能够确保在各种恶劣环境下保持稳定的性能表现,适用于隔离信号传输、电源管理以及其他需要电气隔离的应用场景。
类型:光耦合器
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
隔离电压:5300Vrms
输入电流:1mA 至 16mA
输出电流:15mA(最大)
上升时间:2μs(典型值)
下降时间:1.5μs(典型值)
带宽:1MHz
封装形式:DIP-8
HI1-509-8具备以下关键特性:
1. 高隔离电压,可承受高达5300Vrms的电气隔离,适用于高压环境下的信号传输。
2. 低输入驱动电流,最小工作电流为1mA,有助于降低功耗。
3. 快速开关速度,典型上升时间和下降时间分别仅为2μs和1.5μs,适合高频应用。
4. 宽工作温度范围,能够在极端温度条件下可靠运行。
5. 内置防护设计,提供抗干扰能力,减少外部电磁场对信号的影响。
6. 封装形式为DIP-8,便于焊接和安装在传统PCB板上。
HI1-509-8光耦合器非常适合以下应用场景:
1. 工业控制中的信号隔离,如PLC系统、数据采集模块等。
2. 电力电子设备中的电源管理与保护电路。
3. 医疗设备中的安全隔离设计,例如心电图机、监护仪等。
4. 消费类电子产品中的音频、视频信号隔离。
5. 通信设备中的串口、并口隔离传输。
6. 各种电机驱动器中的反馈信号隔离电路。
TLP281-4, PC817, HCPL-2630