HY27UV08BG5A-TPCB 是一款由Hynix(现为SK Hynix)生产的NAND闪存芯片,常用于嵌入式系统和固态存储设备中。这款芯片具有8位数据总线宽度,支持高速数据读写操作,适用于需要高可靠性和大容量存储的应用场景。其封装形式为TSOP(Thin Small-Outline Package),适合在空间受限的电子设备中使用。
容量:512MB
电压范围:2.7V - 3.6V
接口类型:8位NAND接口
封装类型:TSOP
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
HY27UV08BG5A-TPCB 的主要特性包括其高存储容量和低功耗设计,适合用于电池供电设备。该芯片支持页编程和块擦除操作,具备良好的数据保存能力,能够在无电源的情况下保持数据长达10年。此外,该芯片内置错误校正功能,能够检测并纠正一定数量的位错误,从而提高数据的可靠性和完整性。
该芯片的NAND闪存架构允许快速顺序读写操作,适用于大量数据存储需求。其TSOP封装形式具有较小的尺寸和较低的重量,适合用于便携式电子设备。此外,该芯片还支持多种命令集,包括读取、写入、擦除和状态查询等,方便用户进行灵活的控制和管理。
HY27UV08BG5A-TPCB 还具备较强的抗干扰能力和稳定性,能够在复杂的工作环境中保持良好的性能。其工作温度范围较宽,适用于工业级应用。
HY27UV08BG5A-TPCB 主要应用于嵌入式系统、数码相机、MP3播放器、便携式游戏机、工业控制系统以及各种类型的固态存储设备。由于其高可靠性和紧凑的封装形式,该芯片也常用于汽车电子系统和物联网设备中。
K9F5608U0C-YCB0, NAND512W3A2CNCE01