类型：GaAs肖特基二极管
　　最大正向电流：20 mA
　　最大反向电压：5 V
　　电容（@ 0V, 1MHz）：0.15 pF
　　正向电压降（@ 10 mA）：0.3 V
　　反向恢复时间：50 ps
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

HSMP-386J-TR2G具有多个关键特性，使其在高频应用中表现出色。首先，它的低电容特性（0.15 pF @ 0V, 1MHz）使其非常适合用于高频电路中，以减少信号失真和提高响应速度。其次，该二极管的快速反向恢复时间（50 ps）使其在高频开关应用中表现出色，能够有效减少信号延迟和失真。此外，HSMP-386J-TR2G的正向电压降较低（0.3 V @ 10 mA），有助于降低功耗并提高能效。该器件的工作温度范围较宽（-55°C 至 +150°C），确保其在极端环境下的稳定性和可靠性。
　　HSMP-386J-TR2G采用SOT-23封装，这种封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产，提高了制造效率。同时，SOT-23封装提供了良好的热管理性能，确保在高频率工作条件下仍能保持稳定性能。由于其优异的电气特性和机械特性，HSMP-386J-TR2G在射频通信系统中得到了广泛应用。

HSMP-386J-TR2G主要应用于高频射频电路中，如射频混频器、检测器、调制器和解调器。它在无线通信系统中扮演着重要角色，能够高效处理高频信号，确保信号传输的稳定性和准确性。此外，该二极管也常用于射频功率检测和测量设备，帮助工程师精确评估射频信号强度和质量。在微波通信系统中，HSMP-386J-TR2G可用于实现高效的信号处理和传输。由于其低电容和快速开关特性，该器件也适用于高频信号整流和限幅电路。在测试与测量设备中，HSMP-386J-TR2G被广泛用于构建高性能射频探头和信号分析模块。

HSMP-386C-TR2G, HSMP-3890-TR2G, HSMS-286B-TR2G