容量：256MB
　　电压：2.7V - 3.6V
　　封装类型：TSOP
　　接口：NAND Flash Interface
　　数据总线宽度：8位
　　擦写周期：约100,000次
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

HY27UG082G2M-TCBO是一款高性能、低功耗的NAND闪存芯片，采用SLC（Single-Level Cell）技术，每个存储单元仅存储1位数据，从而提供更高的数据完整性和更长的使用寿命。该芯片的容量为256MB，适用于需要高可靠性和长寿命的应用场景，如工业控制、车载系统、医疗设备等。
　　该芯片支持标准的NAND闪存接口，数据总线宽度为8位，便于与主控芯片连接。其工作电压范围为2.7V至3.6V，适用于多种电源管理方案，确保在不同环境下稳定运行。此外，HY27UG082G2M-TCBO采用TSOP封装，体积小巧，适合嵌入式设计。
　　该芯片的擦写寿命可达100,000次，远高于一般的MLC NAND闪存，适用于频繁读写的应用场景。其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级温度要求，确保在恶劣环境中依然稳定运行。此外，该芯片具备良好的错误校正能力，支持ECC（Error Correction Code）功能，确保数据的完整性和可靠性。

HY27UG082G2M-TCBO广泛应用于需要高可靠性和长寿命的嵌入式存储系统。典型应用包括工业控制设备、车载导航系统、智能电表、POS终端、医疗设备和通信设备等。由于其SLC NAND闪存的特性，该芯片特别适用于需要频繁写入和读取操作的场景，如日志记录、固件更新和缓存存储等。
　　在固态硬盘（SSD）控制器方案中，HY27UG082G2M-TCBO可作为系统引导存储器，用于存放固件和配置数据。此外，在嵌入式Linux系统中，该芯片可用于存储操作系统镜像和用户数据，支持快速启动和稳定运行。由于其工业级温度范围，该芯片也常用于户外设备和自动化控制系统中，确保在各种环境条件下都能可靠运行。

K9F5608U0D-PCB0, MT29F2G08AAA-12, S34ML02G200TFI00