HY27C082G2M-TPCB PB 是由Hynix(现为SK Hynix)生产的一款NOR型闪存(Flash Memory)芯片。该芯片属于非易失性存储器,能够在断电后保留数据,适用于需要较高可靠性和稳定性的嵌入式系统应用。HY27C082G2M-TPCB PB 采用CMOS工艺制造,具有高性能和低功耗的特点。其存储容量为8Mbit(1M x8),工作电压为2.7V至3.6V,适用于多种工业控制、通信设备、消费电子和汽车电子系统。
容量:8Mbit (1M x8)
电源电压:2.7V - 3.6V
访问时间:55ns/70ns/90ns(根据型号后缀不同)
封装类型:TSOP(Thin Small Outline Package)
工作温度范围:-40°C ~ +85°C(工业级)
读取电流(最大):20mA
待机电流(最大):10μA
编程/擦除电压:内部电荷泵提供
编程时间(典型):7μs/字(页编程)
擦除时间(典型):1s/块
输入/输出接口:TTL兼容
组织方式:x8
HY27C082G2M-TPCB PB 作为一款高性能的NOR闪存芯片,具有多项显著特性。首先,它具备高速访问时间,分别为55ns、70ns和90ns(根据具体型号后缀),这使得它能够满足高速数据读取和执行代码的需求,特别适合用于嵌入式系统中的程序存储。其次,该芯片支持低功耗操作,在待机模式下仅消耗10μA的电流,这对于电池供电或节能要求较高的应用非常有利。
在存储结构方面,HY27C082G2M-TPCB PB 采用1M x8的组织方式,总容量为8Mbit。其支持页编程和块擦除操作,页编程时间为7μs/字,而块擦除时间仅为1秒,这种高效的编程和擦除机制提高了整体系统效率。此外,芯片内置电荷泵电路,提供编程和擦除所需的高压,无需外部高压电源,简化了系统设计。
在可靠性方面,该芯片具有高耐用性和数据保持能力,可支持至少10万次编程/擦除周期,数据可保存10年以上。其工作温度范围为-40°C至+85°C,符合工业级温度标准,适用于各种恶劣环境下的应用,如工业控制、通信设备和车载系统。
最后,该芯片采用TSOP封装,体积小巧,便于集成到紧凑型电子设备中,并具有良好的热稳定性和电气性能。
HY27C082G2M-TPCB PB 适用于多种嵌入式系统和电子设备。由于其高速访问时间和低功耗特性,它广泛用于需要执行代码的场合,如微控制器系统、嵌入式处理器、网络设备、路由器、交换机等通信基础设施。此外,该芯片也常用于工业自动化控制系统,如PLC(可编程逻辑控制器)、传感器模块和工业计算机,以存储固件和关键数据。
在消费电子领域,HY27C082G2M-TPCB PB 可用于数字电视、机顶盒、数码相机和便携式游戏设备,用于存储启动代码和操作系统。在汽车电子应用中,它可以作为车载导航系统、车载信息娱乐系统(IVI)和车身控制模块的程序存储器,确保车辆在各种环境下的稳定运行。
此外,该芯片还适用于医疗设备、测试仪器和安全监控系统等对可靠性和稳定性要求较高的行业应用。由于其宽温范围和高耐用性,HY27C082G2M-TPCB PB 在各种恶劣环境中也能保持良好的性能。
AM29LV800BB-TEI, MX29LV800BBTC-70G, SST39VF800-70-4C-NHE