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NZH24C,115 发布时间 时间:2025/9/14 17:46:07 查看 阅读:12

NZH24C,115 是一款由 Nexperia(安世半导体)制造的双极性晶体管 (BJT),属于 NPN 类型的晶体管,广泛用于各种电子电路中作为开关或放大器使用。这款晶体管采用 SOT23 封装形式,适用于需要高性能和小尺寸的应用场景。其设计旨在提供高电流放大能力,并在各种工作条件下保持稳定性能。由于其封装小巧,因此在便携式设备和空间受限的应用中特别受欢迎。此外,NZH24C,115 具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的温度范围内正常工作,适合工业级和消费级电子产品使用。

参数

晶体管类型: NPN 双极型晶体管
  最大集电极电流 (Ic): 100mA
  最大集电极-发射极电压 (Vce): 30V
  最大基极电流 (Ib): 5mA
  最大耗散功率 (Ptot): 300mW
  电流增益 (hFE): 110 - 800(取决于测试条件)
  频率响应: 100MHz
  封装类型: SOT23

特性

NZH24C,115 晶体管具备多种特性,使其在电子设计中具有广泛应用。首先,其 NPN 结构提供了良好的电流放大性能,适合用于信号放大和开关控制。晶体管的最大集电极电流为 100mA,足以支持许多中低功率应用,同时其最大集电极-发射极电压为 30V,使其能够承受较高的电压应力,适用于电源管理和电压调节电路。此外,该晶体管的电流增益范围为 110 到 800,具体取决于测试条件,这使得设计者可以根据实际需求选择合适的偏置条件以优化电路性能。
  在频率特性方面,NZH24C,115 支持高达 100MHz 的工作频率,适用于射频和高频开关应用。其 SOT23 小型封装不仅节省空间,还便于在高密度 PCB 设计中使用。晶体管的最大耗散功率为 300mW,能够在较高功率条件下工作,同时具备良好的热管理能力,避免因温度过高而导致性能下降。此外,其工作温度范围广泛,适用于从消费电子产品到工业控制设备的多种应用场景。
  从可靠性角度来看,该晶体管采用了 Nexperia 的先进制造工艺,具备出色的稳定性和耐用性。其基极电流最大为 5mA,确保在低功耗条件下仍能保持良好的控制性能。这些特性使得 NZH24C,115 成为许多电子设计中的理想选择,尤其是在需要高效、稳定和紧凑解决方案的应用中。

应用

NZH24C,115 广泛应用于多种电子设备和系统中。由于其良好的电流放大能力和高频响应,该晶体管常用于音频放大器、信号处理电路和射频开关等场合。在消费电子产品中,它可用于驱动 LED 显示器、继电器、小型电机以及其他低功率负载。此外,其小型 SOT23 封装使其非常适合在便携式设备中使用,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
  在工业自动化和控制系统中,NZH24C,115 可用作开关元件,控制各种传感器、执行器和继电器的动作。它还可用于电源管理电路中,作为电压调节器或电流控制元件,帮助提高系统的能效和稳定性。由于其宽温度范围和高可靠性,该晶体管也可用于汽车电子系统,如车身控制模块、照明控制系统和车载娱乐设备。
  在通信设备中,该晶体管可以作为射频放大器或信号切换器,适用于无线基站、路由器和调制解调器等应用。此外,在嵌入式系统和微控制器外围电路中,它常用于驱动继电器、MOSFET 和其他类型的功率元件。由于其多功能性和广泛适用性,NZH24C,115 是许多电子设计工程师在选择晶体管时的重要选项之一。

替代型号

BC847, 2N3904, PN2222A

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NZH24C,115参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭单二极管/齐纳
  • 系列-
  • 电压 - 齐纳(标称)(Vz)24V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)(最大)900mV @ 10mA
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电40nA @ 19V
  • 容差*
  • 功率 - 最大500mW
  • 阻抗(最大)(Zzt)35 欧姆
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOD-123F
  • 供应商设备封装SOD-123F
  • 包装带卷 (TR)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C