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K4H560838N 发布时间 时间:2025/8/20 20:37:02 查看 阅读:26

K4H560838N 是三星(Samsung)生产的一款DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于异步DRAM类别。该芯片通常用于需要高速数据存取的电子设备中,如嵌入式系统、网络设备、图形处理模块等。这款DRAM芯片采用常见的TSOP封装形式,具有较高的存储密度和稳定的性能表现。K4H560838N 通常用于工业控制、消费电子以及通信设备中,以提供快速的临时数据存储功能。

参数

容量:64MB
  组织结构:512K x16
  工作电压:3.3V
  访问时间:5.4ns
  封装类型:TSOP
  引脚数量:54
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  最大工作频率:约166MHz

特性

K4H560838N 采用异步DRAM技术,提供高速的数据访问能力,适合需要较高带宽的应用场景。
  其TSOP封装设计使得芯片在PCB布局上更加紧凑,且具有较好的散热性能和稳定性。
  该芯片的组织结构为512K x16,意味着它能够存储512千个16位的数据单元,适用于需要较大内存容量的设备。
  工作电压为3.3V,符合当时主流的低功耗设计趋势,同时兼容多种电源管理系统。
  访问时间仅为5.4ns,表明该芯片具有较快的响应速度,能够满足高性能系统的数据读写需求。
  支持工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),适用于各种恶劣环境条件下的设备应用。
  最大工作频率可达166MHz,确保了在高速运行环境下的稳定性和可靠性。

应用

K4H560838N 常见于需要高速内存支持的嵌入式系统中,例如工业控制设备、网络路由器和交换机、图形加速器、视频采集与处理设备等。
  在消费类电子产品中,该芯片也被广泛应用于数字电视、机顶盒、游戏机等设备中,用于缓存图像数据或程序代码。
  此外,K4H560838N 也适用于需要大量临时存储空间的通信设备,如基站控制器、无线接入点等。
  由于其高可靠性和工业级温度适应能力,该芯片也常被用于军事、航空航天等对环境要求较高的领域。

替代型号

[
   "K4H561638N",
   "K4H560838G",
   "MT48LC16M2A2B4-5A",
   "CY7C1041CV33-55BVI"
  ]

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