容量：256K x 16位
　　工作电压：5V ± 10%
　　访问时间：55ns / 70ns / 85ns（根据后缀不同）
　　封装形式：50引脚 TSOP（Thin Small Outline Package）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　刷新方式：自动刷新（Auto-refresh）
　　数据输入/输出方式：三态输出
　　封装尺寸：约8mm x 20mm

HY2576/96作为一款高速DRAM芯片，具备以下显著特性：其采用先进的CMOS技术，能够有效降低功耗，同时保持高速数据访问能力。该芯片的访问时间可选，分别为55ns、70ns和85ns，用户可根据系统需求选择合适的型号，以满足不同应用场景下的性能要求。
　　该芯片支持自动刷新功能，能够在不需要外部控制的情况下完成内存数据的刷新操作，简化了系统设计并提高了稳定性。其三态输出功能使得多个存储器可以共享同一数据总线，提高了系统的扩展性和灵活性。
　　此外，HY2576/96采用50引脚TSOP封装，体积小且便于安装，适用于空间受限的电路板设计。其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），能够在恶劣环境中稳定运行，适用于工业控制、网络设备、通信基站等对可靠性要求较高的应用领域。
　　在数据完整性方面，HY2576/96通过精确的时序控制和稳定的读写操作，确保了数据的准确性和可靠性。其高速访问能力和低功耗特性使其在嵌入式系统、视频采集设备以及实时控制系统中具有广泛应用。

HY2576/96主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的场合，如个人电脑主板的主存模块、工业控制系统的缓存存储、通信设备的缓冲存储器、网络交换设备中的数据暂存单元等。此外，它还适用于嵌入式系统、视频采集与处理设备、自动化控制设备以及便携式电子产品中，作为临时数据存储单元使用。

IS61LV25616-55TLI、CY7C199-55JC、IDT71V124SA55PFG、A612-68HC11