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PJD1NA50_L2_00001 发布时间 时间:2025/8/14 8:19:30 查看 阅读:23

PJD1NA50_L2_00001 是一种基于半导体技术的电子元器件芯片,主要用于功率管理或高压应用。该器件的结构设计使其能够在高电压条件下稳定工作,并提供优异的开关性能。通常,这种类型的器件被用于电源供应器、马达控制、变频器、以及其他需要高效功率转换的系统中。其封装形式和引脚定义旨在适应工业标准,便于集成到各类电路中。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):500V
  连续漏极电流(Id):1.2A
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V
  最大功耗(Pd):50W
  工作温度范围:-55°C ~ +150°C
  封装类型:TO-220

特性

PJD1NA50_L2_00001 具备多项显著的性能特点,使其在功率电子器件领域中具有广泛的应用价值。首先,其高耐压特性使其能够在高达500V的工作电压下稳定运行,这使其适用于高压电源管理和功率转换系统。其次,该器件的导通电阻较低,有助于减少功率损耗,提高系统的整体效率。此外,PJD1NA50_L2_00001 在开关性能方面表现出色,具备快速的导通和关断能力,减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰(EMI)。
  在热管理方面,该器件采用了高效的散热设计,能够将工作过程中产生的热量迅速散发,从而延长使用寿命并提高可靠性。其工作温度范围较宽,支持在极端环境条件下稳定运行,适用于工业、汽车等对可靠性要求较高的应用场景。同时,PJD1NA50_L2_00001 的封装形式(如TO-220)提供了良好的机械强度和电气绝缘性能,便于安装和散热片连接,提高了整体系统的稳定性和安全性。此外,该器件还具备一定的过载和短路保护能力,能在异常工况下有效保护电路系统。

应用

PJD1NA50_L2_00001 主要应用于各类高电压、中功率的电子系统中。例如,在电源管理系统中,它常用于DC-DC转换器、AC-DC整流器以及开关电源模块,以实现高效的能量转换。在工业控制领域,该器件可用于马达驱动器、变频器和伺服控制系统,以提供稳定可靠的功率输出。此外,它也适用于照明系统中的电子镇流器、LED驱动电源等高压应用场合。在新能源领域,如太阳能逆变器和风力发电控制系统中,PJD1NA50_L2_00001 也可用于关键的功率开关部分,以提高能源转换效率。由于其良好的电气性能和可靠性,该器件也广泛用于家电、自动化设备以及汽车电子系统中的电源控制模块。

替代型号

PJD1NA50F
  IRF840
  K2645
  FQA1N50
  2SK2290

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PJD1NA50_L2_00001参数

  • 现有数量0现货
  • 价格不适用于新设计
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)500 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)9 欧姆 @ 500mA,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.2 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±30V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)95 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)25W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装TO-252
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63