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HY23DF1GAM-DPI 发布时间 时间:2025/9/2 9:22:12 查看 阅读:8

HY23DF1GAM-DPI 是一款由 Hynix(海力士)公司生产的 DDR SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)芯片,属于其内存产品线的一部分。该芯片主要用于计算机、服务器以及其他需要高性能内存的电子设备中。HY23DF1GAM-DPI 的设计旨在提供高带宽和低延迟的数据访问能力,适用于主流的计算平台。

参数

容量:1Gb(128MB)
  组织结构:x16
  电压:2.3V - 3.6V
  封装类型:TSOP
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据速率:166MHz(DDR-166)
  时钟频率:83MHz
  访问时间:5.4ns
  引脚数:54
  内存类型:DRAM
  技术:CMOS

特性

HY23DF1GAM-DPI 采用先进的 CMOS 技术制造,具有低功耗和高可靠性的特点。该芯片支持自动刷新和自刷新模式,以确保数据的稳定性和完整性。其 TSOP 封装设计有助于减少封装尺寸,提高设备的空间利用率。此外,HY23DF1GAM-DPI 还具备较高的数据传输速率,能够在高速应用中提供稳定的性能。
  这款 DDR SDRAM 芯片还支持多种操作模式,包括突发模式和页面模式,从而提高了数据访问的灵活性和效率。其 166MHz 的时钟频率和 5.4ns 的访问时间使其成为需要快速响应和高带宽的系统应用的理想选择。此外,芯片的工作温度范围较宽,可在 -40°C 至 +85°C 的环境中稳定运行,适用于工业级和商业级设备的需求。
  HY23DF1GAM-DPI 的设计还考虑了兼容性和易用性,能够与多种主板和控制器无缝集成。其 54 引脚的封装设计简化了 PCB 布局,并降低了信号干扰的可能性。这种芯片广泛用于个人计算机、服务器、网络设备和嵌入式系统等领域。

应用

HY23DF1GAM-DPI 主要用于需要高性能内存支持的电子设备,如个人计算机、服务器、工作站、网络设备(如路由器和交换机)、工业控制系统以及嵌入式系统。由于其低功耗、高可靠性和高速数据传输能力,这款芯片特别适合用于需要长时间稳定运行的系统。此外,该芯片也可用于消费类电子产品,如高清电视、机顶盒和游戏主机等,以提升设备的整体性能和用户体验。

替代型号

HY57V561620FTP-H

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