时间：2025/9/14 16:41:32
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PSMN015-100YLX是一款由Nexperia（原飞利浦半导体部门）制造的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于高电流和高效率需求的功率转换系统中。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），以实现更高的效率和更低的功率损耗。PSMN015-100YLX采用无铅、符合RoHS标准的封装，适用于各种工业、汽车和消费类电子应用。其主要特点是高耐压、低导通电阻、高电流承载能力以及优异的热性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：120A @ Tc=25℃
导通电阻(Rds(on))：最大1.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：LFPAK56（Power-SO8兼容）
功率耗散(Pd)：130W
技术：Trench沟槽技术
PSMN015-100YLX采用了Nexperia先进的Trench沟槽技术，使其在相同电压和电流条件下具备更低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。该器件的Rds(on)最大为1.5mΩ，在Vgs=10V的条件下，能够显著降低在高电流应用中的功耗。此外，该MOSFET具有高电流承载能力，额定连续漏极电流为120A，使其适用于高功率密度设计。
其LFPAK56封装结构提供了优异的热管理性能，确保器件在高负载条件下仍能保持较低的温度。这种封装还具备优异的焊接可靠性和热循环稳定性，特别适合汽车和工业应用。PSMN015-100YLX还具备高耐用性，支持快速开关操作，从而减少开关损耗，提高系统效率。
该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的栅极驱动电路，并具有良好的抗干扰能力。同时，该器件的温度范围覆盖-55℃至+175℃，适用于各种严苛环境下的运行。
PSMN015-100YLX主要用于需要高效率和高电流处理能力的功率电子系统中。其典型应用包括直流-直流转换器（DC-DC Converter）、同步整流器、电机驱动、电源管理系统、电池充电器以及汽车电子系统（如车载充电器OBC和48V轻混系统）。由于其优异的热性能和可靠性，该器件也广泛应用于工业自动化设备、服务器电源和高功率LED照明驱动系统。
PSMN023-100YLX, PSMN039-100LDX, PSMN045-100YLC, IPB015N10N3 G OptiMOS
