HY15P03C2 是一款由国产厂商推出的高压MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),通常用于电源管理和功率转换电路中。这款MOSFET具有较高的耐压能力,适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制等应用。其封装形式多为TO-220或TO-252等常见功率封装,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(VDS):300V
栅源电压(VGS):±20V
连续漏极电流(ID):15A
导通电阻(RDS(on)):≤0.35Ω
工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
封装形式:TO-220/TO-252
HY15P03C2 MOSFET具有良好的导通性能和较高的耐压能力,适用于中高功率的开关应用。
其导通电阻较低,有助于减少导通损耗,提高系统效率。
该器件具有较强的过载和瞬态电压承受能力,适合在复杂电磁环境中使用。
此外,HY15P03C2的封装设计有利于散热,提高了器件在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。
该MOSFET具备较高的栅极绝缘能力,能够承受较高的栅源电压,增强了器件的控制稳定性和抗干扰能力。
在制造工艺方面,HY15P03C2采用了先进的高压MOSFET技术,确保了其在高电压下的稳定运行和较长的使用寿命。
HY15P03C2广泛应用于各类功率电子设备中,如开关电源(SMPS)、LED驱动电源、AC-DC转换器、DC-DC转换模块、电机驱动电路以及工业自动化控制系统等。
由于其较高的耐压能力和良好的导通性能,HY15P03C2也常用于高压直流母线的开关控制、逆变器电路、UPS不间断电源系统以及光伏逆变器等应用场景。
在消费类电子产品中,该器件可用于电源适配器、充电器、智能家电等需要高效功率开关的场合。
此外,HY15P03C2还可用于电动工具、电动车控制器等对功率器件有较高要求的领域。
FQP15N30C、IRF840、HY15P03C2A