类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：36A
　　导通电阻(Rds(on))：0.065Ω
　　功率耗散(Pd)：200W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：TO-247

HWGA036-4 MOSFET具有多个重要特性，使其适用于高功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著降低导通损耗，提高系统效率。其次，MOSFET的高耐压能力（200V漏源电压）使其适用于各种高电压环境，如工业电源和电机控制。此外，其最大连续漏极电流可达36A，能够承受较大的负载电流。
　　该器件的TO-247封装提供了良好的散热性能，确保在高功率条件下稳定运行。同时，MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，兼容多种常见的驱动电路设计。由于其快速的开关特性，HWGA036-4 适用于高频开关电源和DC-DC转换器，有助于减小外围元件的尺寸并提高整体系统效率。
　　在可靠性方面，该MOSFET具有良好的热稳定性和抗过载能力，能够在恶劣的环境条件下长时间运行。此外，它还具备一定的抗静电能力，适用于多种工业和消费类电子产品。

HWGA036-4 MOSFET主要用于需要高电流和高电压控制的电子系统中。常见应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电池充电器、电机驱动器和工业自动化设备。在开关电源中，该MOSFET用于主开关管，实现高效的能量转换。在电机控制电路中，它可用于H桥结构，实现电机的正反转和调速控制。
　　此外，HWGA036-4 也可用于功率因数校正（PFC）电路，以提高电源的效率并减少谐波失真。在太阳能逆变器和UPS（不间断电源）系统中，该MOSFET可作为核心功率开关元件，实现高效的能量转换。在消费类电子产品中，如高功率LED驱动器和智能家电，该器件也可用于电源管理和负载控制。

IRFZ44N, STP36NF20, FDPF36N20