LMUN2137T1G 时间：2025/8/13 6:46:50 阅读：23

LMUN2137T1G是一种双极性晶体管（BJT）组成的双晶体管配置，通常被称为达林顿晶体管对。它由两个NPN晶体管组成，其中一个晶体管的发射极连接到第二个晶体管的基极，从而实现更高的电流增益。这种高增益特性使它适用于需要高放大能力的电路设计。LMUN2137T1G采用SOT-23封装，适用于小型电子设备和功率控制应用。

参数

晶体管类型：双NPN达林顿晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　集电极-基极电压（VCBO）：30V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　电流增益（hFE）：在IC=2mA时为13000至70000

特性

LMUN2137T1G的核心优势在于其高电流增益，这使得即使在输入信号非常微弱的情况下，也能提供足够的输出驱动能力。该器件的达林顿结构能够实现非常高的电流放大系数，使其非常适合用于低功率驱动高负载的应用场景。
　　此外，LMUN2137T1G采用了小型SOT-23封装，适合高密度PCB布局。该器件具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作。由于其双晶体管结构，LMUN2137T1G还具有较低的饱和压降，有助于减少功率损耗并提高整体效率。
　　它的封装设计也提供了良好的焊接性能，适用于自动化装配流程。此外，该器件的引脚排列设计便于电路设计者进行布线，减少了设计复杂性。

应用

LMUN2137T1G广泛应用于需要高电流增益的电路中，例如音频放大器、继电器驱动电路、马达控制电路、LED驱动器以及各种开关电路。它也常用于传感器接口电路、电源管理模块和工业控制设备中。
　　由于其高增益特性，该器件在低噪声放大器和模拟信号处理电路中也表现出色。此外，LMUN2137T1G还可用于需要高可靠性的汽车电子系统和消费类电子产品中。