时间：2025/8/2 4:45:25
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TSM051N04LCP是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，主要用于高效率电源管理和功率转换应用。该器件设计用于在低电压条件下提供高电流处理能力，适用于如DC-DC转换器、负载开关和马达控制等场景。TSM051N04LCP采用了先进的沟槽式MOSFET技术，以实现较低的导通电阻（RDS(ON)），从而降低功率损耗并提高系统效率。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：40V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：60A
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOP
导通电阻（RDS(ON)）：最大5.1mΩ
阈值电压（VGS(th)）：1V至2.5V
功率耗散（PD）：100W
TSM051N04LCP具备多项优异特性，使其成为高性能电源设计的理想选择。
首先，其低导通电阻（RDS(ON)）确保了在高电流应用中最小的功率损耗，从而提高整体系统效率。这对于电池供电设备和高密度电源模块尤为重要。
其次，该MOSFET支持高达60A的连续漏极电流，使其能够胜任高功率负载的切换任务。此外，TSM051N04LCP的栅极驱动电压范围较宽（±20V），允许其与多种驱动电路兼容，提高了设计灵活性。
该器件采用SOP封装，具有良好的热性能和空间效率，适合在紧凑型电路板设计中使用。此外，其宽工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在恶劣环境条件下的稳定运行。
内置的静电放电（ESD）保护和雪崩能量耐受能力增强了器件的可靠性，降低了因外部瞬态电压导致损坏的风险。
TSM051N04LCP广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. **DC-DC转换器**：在升压（Boost）或降压（Buck）转换器中作为高效率开关器件，适用于服务器电源、笔记本电脑电源适配器等。
2. **负载开关**：用于控制电源分配，如在服务器、工业控制系统和电池管理系统中实现高电流负载的通断控制。
3. **马达控制**：在电动工具、机器人和自动化设备中作为H桥电路的开关元件，实现对直流马达的速度和方向控制。
4. **电源管理模块**：用于多相电源系统中，与控制器配合实现高效能的电源分配和管理。
5. **电池充电器和逆变器**：在这些应用中，TSM051N04LCP可有效降低导通损耗，提高整体系统效率，延长电池续航时间。
Si4410BDY, IRF1404, TSM051N04LCP
