时间：2025/9/7 0:14:18
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HVM27WK2TL.D 是一款由 Vishay 公司生产的表面贴装功率 MOSFET 晶体管。该器件设计用于高电流和高电压的应用，具有出色的热性能和耐用性，适用于各种工业和汽车电子系统。
类型：功率 MOSFET
技术：N沟道
漏源电压(Vds)：100V
连续漏极电流(Id)：27A
导通电阻(Rds(on))：约55mΩ
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：TO-252（DPAK）
安装类型：表面贴装
HVM27WK2TL.D 的主要特性包括其高耐压能力，能够在 100V 的漏源电压下稳定工作。其低导通电阻（Rds(on)）确保了器件在高负载条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提升系统效率。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性，可在高温环境下运行而不会影响性能。
器件采用了先进的沟槽技术，优化了导通和开关损耗之间的平衡，使其非常适合高频开关应用。TO-252（DPAK）封装不仅提供了良好的散热性能，还支持自动化生产，适用于现代电子制造流程。
HVM27WK2TL.D 常用于各种电源管理系统、DC-DC 转换器、电机控制器、电池充电器以及汽车电子系统中。其高可靠性和高效性能使其成为工业设备、电动车、太阳能逆变器等领域的理想选择。在汽车应用中，该器件可支持发动机控制单元、车载充电器和电动助力转向系统等关键部件的运行。
SiHF12N100D, FDPF12N100AS
