容量：64Mbit
　　组织结构：16M x 4
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数量：54引脚
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　最大时钟频率：166MHz
　　访问时间：5.4ns
　　数据输出使能时间：2.7ns
　　数据保持时间：2.7ns
　　刷新周期：64ms

HY5DV561622ETP-4是一款高性能的SDRAM芯片，具备同步接口以提高数据传输效率。该芯片采用CMOS工艺制造，具有较低的功耗和较高的可靠性。其TSOP封装形式适用于高密度电路板设计，且能够在较宽的温度范围内稳定工作。此外，该芯片支持多种工作模式，包括快速页面模式、静态列地址模式和突发模式，能够满足不同应用场景的需求。
　　该芯片的存储容量为64Mbit，组织结构为16M x 4，意味着其每个存储单元的宽度为4位，适合需要并行数据处理的应用。其最大时钟频率为166MHz，能够在高速数据传输应用中提供出色的性能。访问时间为5.4ns，确保了快速的数据响应能力。此外，其数据输出使能时间和数据保持时间均为2.7ns，进一步提升了数据传输的稳定性。
　　HY5DV561622ETP-4的工作电压范围为2.3V至3.6V，使其能够在多种电源条件下正常工作。这种宽电压设计提高了其在不同设备中的兼容性。其64ms的刷新周期确保了数据在不频繁刷新的情况下仍能保持稳定，从而降低了系统功耗并提高了整体效率。

HY5DV561622ETP-4广泛应用于需要高速存储和数据处理的电子设备中，例如网络设备、通信设备、工业控制系统、嵌入式系统以及消费类电子产品。其高可靠性和低功耗特性也使其适合用于汽车电子系统和医疗设备中。

HY5DV561622ETP-4的替代型号包括ISSI的IS42S16512B-6T和Micron的MT48LC16M2A2B4-6A。